SiC kaplamalı grafit MOCVD gofret taşıyıcılar, SiC epitaksi için grafit taşıyıcılar,
Karbon, alıcıları besler., epitaksi taşıyıcıları, Grafit, suseptörler sağlar., Grafit Levha Destekleyiciler,

CVD-SiC kaplama, düzgün yapı, kompakt malzeme, yüksek sıcaklık dayanımı, oksidasyon direnci, yüksek saflık, asit ve alkali direnci ve organik reaktiflere karşı direnç gibi özelliklere sahip olup, istikrarlı fiziksel ve kimyasal özellikler sergiler.

Yüksek saflıktaki grafit malzemelerle karşılaştırıldığında, grafit 400°C'de oksitlenmeye başlar; bu da oksidasyon nedeniyle toz kaybına, çevresel kirliliğe ve vakum odalarının kirlenmesine yol açar ve yüksek saflıktaki ortamın safsızlıklarını artırır.

Ancak, SiC kaplama 1600 derecede fiziksel ve kimyasal kararlılığını koruyabildiği için modern endüstride, özellikle yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Şirketimiz, CVD yöntemiyle grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyine SiC kaplama işlemi hizmeti sunmaktadır. Bu işlemde, karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri elde eder. Bu moleküller, kaplanmış malzemelerin yüzeyine çökelerek SiC koruyucu tabakası oluşturur. Oluşan SiC, grafit tabana sıkıca bağlanarak grafit tabana özel özellikler kazandırır; böylece grafit yüzeyi kompakt, gözeneksiz, yüksek sıcaklık dayanımı, korozyon direnci ve oksidasyon direnci kazanır.

Başlıca özellikler:

1. Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1700°C'ye kadar yükseldiğinde bile oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: Yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle üretilmiştir.

3. Aşınma direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktiflere karşı.

CVD-SIC Kaplamalarının Başlıca Özellikleri:

Tedarik Yeteneği:

Ayda 10.000 Adet
Paketleme ve Teslimat:
Paketleme: Standart ve Sağlam Paketleme
Polietilen torba + Kutu + Karton + Palet
Liman:
Ningbo/Shenzhen/Şangay
Kurşun zamanı: