Lớp phủ SiC graphite MOCVD wafer carrier， Graphite Susceptors cho SiC Epitaxy,
Carbon cung cấp chất dễ bị tổn thương, người thụ cảm epitaxy, Graphite cung cấp chất nhạy cảm, Graphite Wafer Susceptors,

Lớp phủ CVD-SiC có đặc điểm là cấu trúc đồng nhất, vật liệu nhỏ gọn, chịu nhiệt độ cao, chống oxy hóa, độ tinh khiết cao, chống axit và kiềm và thuốc thử hữu cơ, có tính chất vật lý và hóa học ổn định.

So với vật liệu than chì có độ tinh khiết cao, than chì bắt đầu bị oxy hóa ở nhiệt độ 400C, điều này sẽ gây ra tổn thất bột do quá trình oxy hóa, gây ô nhiễm môi trường cho các thiết bị ngoại vi và buồng chân không, đồng thời làm tăng tạp chất trong môi trường có độ tinh khiết cao.

Tuy nhiên, lớp phủ SiC có thể duy trì tính ổn định về mặt vật lý và hóa học ở nhiệt độ 1600 độ, được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp hiện đại, đặc biệt là trong ngành công nghiệp bán dẫn.

Công ty chúng tôi cung cấp dịch vụ quy trình phủ SiC theo phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác, để các loại khí đặc biệt chứa cacbon và silic phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử lắng đọng trên bề mặt vật liệu phủ, tạo thành lớp bảo vệ SIC. SIC hình thành được liên kết chặt chẽ với nền than chì, mang lại cho nền than chì các tính chất đặc biệt, do đó làm cho bề mặt than chì chặt chẽ, không có lỗ rỗng, chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn và chống oxy hóa.

Các tính năng chính:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:

khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt khi nhiệt độ lên tới 1700 độ C.

2. Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao.

3. Khả năng chống xói mòn: độ cứng cao, bề mặt chặt chẽ, hạt mịn.

4. Khả năng chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ.

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC:

Khả năng cung cấp:

10000 Mảnh/Mảnh mỗi tháng
Đóng gói và Giao hàng:
Đóng gói: Tiêu chuẩn & Đóng gói chắc chắn
Túi poly + Hộp + Thùng carton + Pallet
Cảng:
Ninh Ba/Thâm Quyến/Thượng Hải
Thời gian thực hiện: