Àwọn ohun èlò ìbòjú SiC MOCVD Wafer, Àwọn ohun èlò ìdènà Graphite fún SiC Epitaxy,
Àwọn ohun èlò ìpèsè erogba, àwọn olùfaragbá epitaxy, Gráfítì ń pèsè àwọn ohun tí ó lè fa àrùn, Àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn sí graphite wafer,

Ibora CVD-SiC ni awọn abuda ti eto iṣọkan, ohun elo kekere, resistance iwọn otutu giga, resistance oxidation, mimọ giga, resistance acid & alkali ati reagent organic, pẹlu awọn agbara ti ara ati kemikali iduroṣinṣin.

Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò graphite tí ó mọ́ tónítóní, graphite bẹ̀rẹ̀ sí í bàjẹ́ ní 400C, èyí tí yóò fa pípadánù lulú nítorí ìfọ́sídájú, èyí tí yóò yọrí sí ìbàjẹ́ àyíká sí àwọn ẹ̀rọ àyíká àti àwọn yàrá afẹ́fẹ́, àti pé yóò mú kí àwọn ohun àìmọ́ ti àyíká tí ó mọ́ tónítóní pọ̀ sí i.

Sibẹsibẹ, ibora SiC le ṣetọju iduroṣinṣin ti ara ati kemikali ni awọn iwọn 1600, O ti lo ni ibigbogbo ni ile-iṣẹ ode oni, paapaa ni ile-iṣẹ semiconductor.

Ilé-iṣẹ́ wa ń ṣe iṣẹ́ ìtọ́jú SiC nípasẹ̀ ọ̀nà CVD lórí ojú graphite, àwọn ohun èlò amọ̀ àti àwọn ohun èlò míràn, kí àwọn gáàsì pàtàkì tí ó ní erogba àti silicon lè ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga láti gba àwọn ohun èlò SiC mímọ́ tó ga, àwọn ohun èlò tí a gbé sórí ojú àwọn ohun èlò tí a fi bo, tí wọ́n sì ń ṣe àkójọ ààbò SIC. SIC tí a ṣe ni a so mọ́ ìpìlẹ̀ graphite dáadáa, tí ó fún ìpìlẹ̀ graphite ní àwọn ànímọ́ pàtàkì, nípa bẹ́ẹ̀, ó ń jẹ́ kí ojú graphite náà jẹ́ kékeré, láìsí Porosity, resistance otutu gíga, resistance ipata àti resistance oxidation.

Awọn ẹya pataki:

1. Agbara ifoyina otutu giga:

Agbara oxidation naa tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1700 Celsius.

2. Ìmọ́tótó gíga: tí a ṣe nípasẹ̀ ìforúkọsílẹ̀ èéfín kẹ́míkà lábẹ́ ipò chlorine tí ó wà ní iwọ̀n otútù gíga.

3. Àìlègbé ìfọ́: líle gíga, ojú tí ó kéré, àwọn pàtákì díẹ̀.

4. Àìlera ìbàjẹ́: ásíìdì, alkali, iyọ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣàn ara.

Àwọn Ìlànà Pàtàkì ti Àwọn Àwọ̀ CVD-SIC:

Agbara Ipese:

10000 Nkan/Ẹyọ fún oṣù kan
Àkójọ àti Ìfijiṣẹ́:
Iṣakojọpọ: Iṣakojọpọ boṣewa ati ti o lagbara
Àpò poly + Àpótí + Páálí + Páálí
Ibudo:
Ningbo / Shenzhen / Shanghai
Àkókò Ìdarí: