anel de foco com revestimento CVD

Descrição resumida:

O anel de foco com revestimento CVD para gravação a plasma foi projetado para otimizar a distribuição do plasma e melhorar a uniformidade da gravação em sistemas avançados. Com um substrato robusto de Si ou SiC combinado com um revestimento CVD de SiC de alta pureza, ele oferece resistência superior ao plasma, geração ultrabaixa de partículas e vida útil prolongada. Amplamente utilizado em processos de gravação a plasma ICP e CCP, este anel de foco minimiza efetivamente os efeitos de borda, estabiliza o comportamento dos íons e protege os componentes da câmara contra erosão e contaminação. É um consumível essencial para alcançar alto rendimento e consistência de processo na fabricação avançada de semicondutores.

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Detalhes do produto

Etiquetas do produto

O anel de foco para revestimento CVD em gravação a plasma é um componente consumível crítico usado em sistemas avançados de gravação de semicondutores. Projetado com uma estrutura composta de substrato + revestimento CVD, este produto foi desenvolvido para otimizar a distribuição do plasma, melhorar a uniformidade da gravação e prolongar a vida útil dos componentes da câmara.

Na Vet Energy, aproveitamos nossa profunda experiência em tecnologia de deposição química de vapor (CVD) e materiais cerâmicos avançados para fornecer anéis de foco que atendem aos rigorosos requisitos dos modernos nós semicondutores, incluindo os processos FinFET e 3D NAND.

Função do anel de foco na gravação a plasma

Em sistemas de gravação a plasma (como reatores ICP e CCP), o anel de foco é posicionado ao redor da borda do wafer e desempenha um papel vital na estabilidade do processo e no rendimento.

1. Controle da uniformidade do plasma

O anel de foco atua como uma barreira elétrica e física que ajuda a regular a distribuição da densidade do plasma na superfície do wafer.

Principais benefícios:

● Uniformidade da taxa de corrosão aprimorada
● Variação reduzida do centro à borda
● Repetibilidade de processo aprimorada

2. Compensação do Efeito de Borda

Sem um anel de focalização, a distorção da bainha de plasma na borda do wafer pode levar a uma gravação não uniforme.

O anel de foco funciona efetivamente como uma “extensão virtual do wafer”, minimizando anomalias relacionadas às bordas, tais como:

● Sobre-corrosão nas bordas do wafer
● Desvio da dimensão crítica (DC)
● Distorção de perfil

3. Trajetória iônica e controle de energia

Ao influenciar o campo elétrico local, o anel de focalização ajuda a estabilizar os ângulos de incidência dos íons e a distribuição de energia, o que é crucial para:

● Gravação de alta relação de aspecto (HAR)
● Controle de perfil anisotrópico
● Redução dos danos nas paredes laterais