Nossa empresa tem como objetivo operar com fidelidade, atendendo a todos os nossos clientes e trabalhando constantemente com novas tecnologias e máquinas. Venda imperdível de hastes de cerâmica de nitreto de carboneto de silício polido espelhado da China, tubo de cerâmica Si3n4. Você ainda busca um produto de alta qualidade que esteja em conformidade com a sua boa imagem corporativa e, ao mesmo tempo, expanda sua gama de produtos ou serviços? Experimente nossas soluções de alta qualidade. Sua escolha será inteligente!
Nossa empresa tem como objetivo operar fielmente, atendendo a todos os nossos clientes e trabalhando constantemente em novas tecnologias e novas máquinas paraNitreto de silício da China, Barra de Si3n4, Insistimos constantemente na evolução de soluções, investimos bons fundos e recursos humanos em atualização tecnológica e facilitamos a melhoria da produção, atendendo às necessidades de clientes de todos os países e regiões.
Bucha de cerâmica de carboneto de silício sinterizado
Carboneto de silício sinterizado sem pressão (SSIC)É produzido com pó de SiC muito fino contendo aditivos de sinterização. É processado usando métodos de conformação típicos para outras cerâmicas e sinterizado entre 2.000 e 2.200 °C em atmosfera de gás inerte. Além das versões de granulação fina, com granulometria < 5 µm, também estão disponíveis versões de granulação grossa, com granulometria de até 1,5 mm.
O SSIC se distingue pela alta resistência que permanece quase constante até temperaturas muito altas (aproximadamente 1.600° C), mantendo essa resistência por longos períodos!
Vantagens do produto:
Resistência à oxidação em alta temperatura
Excelente resistência à corrosão
Boa resistência à abrasão
Alto coeficiente de condutividade térmica
Autolubricidade, baixa densidade
Alta dureza
Design personalizado.
Propriedades técnicas:
| Unid | Unidade | Dados |
| Dureza | HS | ≥110 |
| Taxa de Porosidade | % | <0,3 |
| Densidade | g/cm3 | 3.10-3.15 |
| Compressivo | MPa | >2200 |
| Resistência Fratural | MPa | >350 |
| Coeficiente de expansão | 10/°C | 4.0 |
| Conteúdo do Sic | % | ≥99 |
| Condutividade térmica | Com mk | >120 |
| Módulo de elasticidade | GPa | ≥400 |
| Temperatura | °C | 1380 |





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