Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor, revestimento de SiC

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Descrição curta:

Especificação Técnica	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
Teor de Cinzas (PPM)	≤500
Dureza Shore	≥45
Resistência específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistência à flexão (Mpa)	≥40
Resistência à compressão (Mpa)	≥70
Tamanho máximo do grão (μm)	≤43
Coeficiente de expansão térmica mm/°C	≤4,4*10-6

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PersonalizadoAquecedor de grafite para wafer de silício semicondutor

Especificação Técnica	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
Teor de Cinzas (PPM)	≤500
Dureza Shore	≥45
Resistência específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistência à flexão (Mpa)	≥40
Resistência à compressão (Mpa)	≥70
Tamanho máximo do grão (μm)	≤43
Coeficiente de expansão térmica mm/°C	≤4,4*10-6

Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor

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