Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor, revestimento de SiC

Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor, revestimento de SiC (imagem em destaque).

Descrição resumida:

Especificações técnicas	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
Teor de cinzas (PPM)	≤500
Dureza da costa	≥45
Resistência específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistência à flexão (MPa)	≥40
Resistência à compressão (MPa)	≥70
Tamanho máximo do grão (μm)	≤43
Coeficiente de expansão térmica (mm/°C)	≤4,4*10-6

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Etiquetas do produto

PersonalizadoAquecedor de grafite para wafer de silício semicondutor

Especificações técnicas	VET-M3
Densidade aparente (g/cm3)	≥1,85
Teor de cinzas (PPM)	≤500
Dureza da costa	≥45
Resistência específica (μ.Ω.m)	≤12
Resistência à flexão (MPa)	≥40
Resistência à compressão (MPa)	≥70
Tamanho máximo do grão (μm)	≤43
Coeficiente de expansão térmica (mm/°C)	≤4,4*10-6

Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor

Aquecedor de grafite personalizado para wafer de silício semicondutor

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