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  • Quais são as barreiras técnicas ao carboneto de silício?

    Quais são as barreiras técnicas ao carboneto de silício?

    A primeira geração de materiais semicondutores é representada pelos tradicionais silício (Si) e germânio (Ge), que são a base para a fabricação de circuitos integrados. São amplamente utilizados em transistores e detectores de baixa tensão, baixa frequência e baixa potência. Mais de 90% dos produtos semicondutores...
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  • Como o micropó de SiC é feito?

    Como o micropó de SiC é feito?

    O cristal único de SiC é um material semicondutor composto do Grupo IV-IV, composto por dois elementos, Si e C, em uma proporção estequiométrica de 1:1. Sua dureza só perde para o diamante. O método de redução de carbono do óxido de silício para preparar SiC baseia-se principalmente na seguinte fórmula de reação química...
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  • Como as camadas epitaxiais ajudam os dispositivos semicondutores?

    Como as camadas epitaxiais ajudam os dispositivos semicondutores?

    A origem do nome wafer epitaxial. Primeiro, vamos popularizar um pequeno conceito: a preparação do wafer inclui dois elos principais: a preparação do substrato e o processo epitaxial. O substrato é um wafer feito de um material semicondutor monocristalino. O substrato pode entrar diretamente na fabricação do wafer...
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  • Introdução à tecnologia de deposição de película fina por deposição química de vapor (CVD)

    Introdução à tecnologia de deposição de película fina por deposição química de vapor (CVD)

    A Deposição Química de Vapor (CVD) é uma importante tecnologia de deposição de filmes finos, frequentemente usada para preparar vários filmes funcionais e materiais de camada fina, sendo amplamente utilizada na fabricação de semicondutores e em outros campos. 1. Princípio de funcionamento da CVD No processo de CVD, um precursor gasoso (um ou...
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  • O segredo do “ouro negro” por trás da indústria de semicondutores fotovoltaicos: o desejo e a dependência do grafite isostático

    O segredo do “ouro negro” por trás da indústria de semicondutores fotovoltaicos: o desejo e a dependência do grafite isostático

    A grafite isostática é um material muito importante em energia fotovoltaica e semicondutores. Com o rápido crescimento das empresas nacionais de grafite isostática, o monopólio das empresas estrangeiras na China foi quebrado. Com pesquisa e desenvolvimento independentes e contínuos, além de avanços tecnológicos, a...
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  • Revelando as características essenciais dos barcos de grafite na fabricação de cerâmicas semicondutoras

    Revelando as características essenciais dos barcos de grafite na fabricação de cerâmicas semicondutoras

    Barcos de Grafite, também conhecidos como barcos de grafite, desempenham um papel crucial nos complexos processos de fabricação de cerâmicas semicondutoras. Esses recipientes especializados servem como transportadores confiáveis ​​para wafers semicondutores durante tratamentos de alta temperatura, garantindo um processamento preciso e controlado. Com...
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  • A estrutura interna do equipamento do tubo do forno é explicada em detalhes

    A estrutura interna do equipamento do tubo do forno é explicada em detalhes

    Conforme mostrado acima, é um típico A primeira metade: ▪ Elemento de aquecimento (serpentina de aquecimento): localizado ao redor do tubo do forno, geralmente feito de fios de resistência, usado para aquecer o interior do tubo do forno. ▪ Tubo de quartzo: O núcleo de um forno de oxidação quente, feito de quartzo de alta pureza que pode suportar h...
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  • Efeitos do substrato de SiC e materiais epitaxiais nas características do dispositivo MOSFET

    Efeitos do substrato de SiC e materiais epitaxiais nas características do dispositivo MOSFET

    Defeito triangular: Defeitos triangulares são os defeitos morfológicos mais fatais em camadas epitaxiais de SiC. Um grande número de relatos na literatura demonstra que a formação de defeitos triangulares está relacionada à forma cristalina 3C. No entanto, devido a diferentes mecanismos de crescimento, a morfologia de muitos...
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  • Crescimento de cristal único de carboneto de silício SiC

    Crescimento de cristal único de carboneto de silício SiC

    Desde a sua descoberta, o carboneto de silício tem atraído ampla atenção. O carboneto de silício é composto por metade de átomos de Si e metade de átomos de C, que são conectados por ligações covalentes através de pares de elétrons que compartilham orbitais híbridos sp3. Na unidade estrutural básica de seu monocristal, quatro átomos de Si são...
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