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Qual é o mecanismo de planarização do CMP?
Dual-Damascene é uma tecnologia de processo utilizada para fabricar interconexões metálicas em circuitos integrados. Trata-se de um desenvolvimento adicional do processo Damasco. Ao formar furos passantes e ranhuras simultaneamente na mesma etapa do processo e preenchê-los com metal, a fabricação integrada de interconexões metálicas é otimizada.Leia mais -
Grafite com revestimento de TaC
I. Exploração dos parâmetros do processo 1. Sistema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura de deposição: De acordo com a fórmula termodinâmica, calcula-se que, quando a temperatura é superior a 1273 K, a energia livre de Gibbs da reação é muito baixa e a reação é relativamente completa. A reação...Leia mais -
Processo de crescimento de cristais de carbeto de silício e tecnologia de equipamentos
1. As rotas tecnológicas para o crescimento de cristais de SiC incluem PVT (método de sublimação), HTCVD (CVD de alta temperatura) e LPE (método de fase líquida). O método mais reconhecido na indústria é o PVT, sendo responsável por mais de 95% do crescimento de monocristais de SiC.Leia mais -
Preparação e melhoria do desempenho de materiais compósitos de silício-carbono porosos
As baterias de íon-lítio estão se desenvolvendo principalmente na direção de alta densidade de energia. À temperatura ambiente, materiais de eletrodo negativo à base de silício se ligam ao lítio para produzir a fase Li3,75Si, um produto rico em lítio com capacidade específica de até 3572 mAh/g, muito superior à capacidade teórica...Leia mais -
Oxidação térmica do silício monocristalino
A formação de dióxido de silício na superfície do silício é chamada de oxidação, e a criação de dióxido de silício estável e fortemente aderente levou ao surgimento da tecnologia planar de circuitos integrados de silício. Embora existam muitas maneiras de cultivar dióxido de silício diretamente na superfície do silício...Leia mais -
Processamento UV para encapsulamento em nível de wafer com estrutura fan-out
A tecnologia de encapsulamento em nível de wafer (FOWLP, do inglês Fan Out Wafer Level Packaging) é um método econômico na indústria de semicondutores. No entanto, os efeitos colaterais típicos desse processo são empenamento e desalinhamento dos chips. Apesar da melhoria contínua das tecnologias de encapsulamento em nível de wafer e painel, esses problemas relacionados à moldagem ainda persistem.Leia mais -
Cerâmica de carbeto de silício: o terminador dos componentes de quartzo fotovoltaicos
Com o desenvolvimento contínuo do mundo atual, a energia não renovável está se esgotando cada vez mais, e a sociedade humana sente uma urgência crescente em utilizar energias renováveis, como a eólica, a solar, a hídrica e a nuclear. Comparadas a outras fontes de energia renováveis, as energias não renováveis...Leia mais -
Processo de preparação de cerâmica de carbeto de silício por sinterização reativa e sinterização sem pressão
A sinterização reativa de carboneto de silício é um processo de produção que inclui a compactação da cerâmica, a compactação do agente de infiltração do fluxo de sinterização, a preparação do produto cerâmico por sinterização reativa, a preparação da cerâmica de carboneto de silício e outras etapas. A sinterização reativa de silício...Leia mais -
Cerâmicas de carbeto de silício: componentes de precisão necessários para processos semicondutores
A tecnologia de fotolitografia concentra-se principalmente na utilização de sistemas ópticos para expor padrões de circuitos em wafers de silício. A precisão desse processo afeta diretamente o desempenho e o rendimento dos circuitos integrados. Como um dos principais equipamentos para a fabricação de chips, a máquina de litografia contém até...Leia mais