Nossa empresa oferece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais. Nesse processo, gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, que são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SiC.
Principais características:
1. Resistência à oxidação em altas temperaturas:
A resistência à oxidação permanece muito boa mesmo quando a temperatura atinge 1600 °C.
2. Alta pureza: fabricado por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
Principais especificações do revestimento CVD-SiC:
| Propriedades do SiC-CVD | ||
| Estrutura cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | μm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99,99995 |
| Capacidade térmica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimação | ℃ | 2700 |
| Força flexural | MPa (RT 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (flexão de 4 pontos, 1300℃) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |














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