Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de manera que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas sobre la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC:
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de FCC | |
| Densidad | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño del grano | micras | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | °C | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curva de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
P: ¿Es usted una empresa comercial o un fabricante?
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