SiC epitaxné diely

Pokročilé CVD povlaky pre epitaxný rast SiC

Naše planetárne susceptory, satelitné disky a deflektory plynu s CVD SiC a TaC povlakmi sú určené na výrobu vysokovýkonných polovodičových súčiastok pracujúcich pri extrémnom tepelnom namáhaní (1500 °C – 1700 °C) a sú vyrobené tak, aby vynikali. Naše pokročilé povlaky sú navrhnuté tak, aby zabránili tvorbe častíc, degradácii povrchu a leptaniu reaktívnymi plynmi (H₂, SiH₄, C₃H∯) a zabezpečujú dlhú prevádzkovú životnosť, vynikajúcu kontrolu prímesí a vysokú rovnomernosť hrúbky filmu.6-palcové a 8-palcové epitaxné doštičky SiC.

Stabilita pri ultravysokých teplotách

Tepelne stabilný až do 1700 °C v silnom prostredí s redukciou H₂/silánu.

Zhoda CTE gradientu

Eliminuje delamináciu náteru, mikrotrhliny a odlupovanie počas rýchlych tepelných cyklov.

Pripravenosť na 8-palcovú doštičku

Presné CNC obrábanie prispôsobené pre vysokovýkonné SiC Epi reaktory novej generácie (LPE, Aixtron, Nuflare).

Technický parameter	Hodnota špecifikácie	Štandard / Testovacia metóda
Možnosti náterových materiálov	CVD SiC / karbid tantalu (TaC)	Vysoko čistá hermetická vrstva
Základný substrát	Čistený izostatický grafit	Nečistoty v objeme < 5 ppm
Odolnosť voči tepelným šokom	Delta T > 500 °C Rýchlosť nábehu	Bez praskania / lúpania
Drsnosť povrchu (Ra)	≤ 0,4 μm (zrkadlovo leštené)	Zabraňuje lepeniu oblátok a usadzovaniu častíc