V prvom rade musíme vedieťPECVD(Plazmou vylepšená chemická depozícia z pár). Plazma je zosilnenie tepelného pohybu molekúl materiálu. Zrážka medzi nimi spôsobí ionizáciu molekúl plynu a materiál sa stane zmesou voľne sa pohybujúcich kladných iónov, elektrónov a neutrálnych častíc, ktoré navzájom interagujú.
Odhaduje sa, že miera straty odrazom svetla na povrchu kremíka je až približne 35 %. Antireflexná vrstva môže výrazne zlepšiť mieru využitia slnečného svetla batériovým článkom, čo pomáha zvýšiť hustotu fotogenerovaného prúdu a tým zlepšiť účinnosť konverzie. Zároveň vodík vo vrstve pasivuje povrch batériového článku, znižuje rýchlosť povrchovej rekombinácie emitorového spoja, znižuje tmavý prúd, zvyšuje napätie naprázdno a zlepšuje účinnosť fotoelektrickej konverzie. Okamžité žíhanie pri vysokej teplote v procese prepálenia rozruší niektoré väzby Si-H a NH a uvoľnený H ďalej posilňuje pasiváciu batérie.
Keďže kremíkové materiály fotovoltaickej kvality nevyhnutne obsahujú veľké množstvo nečistôt a defektov, životnosť minoritných nosičov náboja a difúzna dĺžka v kremíku sa skracujú, čo vedie k zníženiu účinnosti premeny batérie. H2 môže reagovať s defektmi alebo nečistotami v kremíku, čím sa energetický pás v zakázanom pásme prenáša do valenčného alebo vodivostného pásma.
1. Princíp PECVD
Systém PECVD je séria generátorov využívajúcichGrafitový čln PECVD a vysokofrekvenčné plazmové budiče. Plazmový generátor je priamo inštalovaný v strede povlakovej dosky a reaguje za nízkeho tlaku a zvýšenej teploty. Použité aktívne plyny sú silán SiH4 a amoniak NH3. Tieto plyny pôsobia na nitrid kremíka uložený na kremíkovom plátku. Zmenou pomeru silánu k amoniaku je možné dosiahnuť rôzne indexy lomu. Počas procesu nanášania sa generuje veľké množstvo atómov vodíka a vodíkových iónov, vďaka čomu je vodíková pasivácia plátku veľmi dobrá. Vo vákuu a pri okolitej teplote 480 stupňov Celzia sa na povrch kremíkového plátku nanesie vrstva SixNy vedením...Grafitový čln PECVD.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Farba filmu Si3N4 sa mení s jeho hrúbkou. Ideálna hrúbka je vo všeobecnosti medzi 75 a 80 nm, čo predstavuje tmavomodrú farbu. Index lomu filmu Si3N4 je najlepší medzi 2,0 a 2,5. Na meranie indexu lomu sa zvyčajne používa alkohol.
Vynikajúci efekt pasivácie povrchu, efektívny optický antireflexný výkon (prispôsobenie indexu lomu hrúbky), nízkoteplotný proces (efektívne znižovanie nákladov) a generované ióny H pasivujú povrch kremíkového plátku.
3. Bežné záležitosti v dielni na povrchové úpravy
Hrúbka filmu:
Doba nanášania sa líši v závislosti od hrúbky filmu. Doba nanášania by sa mala primerane zvýšiť alebo znížiť v závislosti od farby povlaku. Ak je film belavý, mal by sa čas nanášania skrátiť. Ak je červenkastý, mal by sa primerane zvýšiť. Každá várka filmu by sa mala dôkladne skontrolovať a chybné produkty by sa nemali dostať do ďalšieho procesu. Napríklad, ak je povlak nekvalitný, ako sú farebné škvrny a vodoznaky, najčastejšie sa na výrobnej linke vyskytuje bielenie povrchu, farebný rozdiel a biele škvrny. Bielenie povrchu je spôsobené hlavne hrubou vrstvou nitridu kremíka, ktorú je možné upraviť nastavením času nanášania filmu; farebný rozdiel filmu je spôsobený hlavne upchatím plynovej cesty, únikom kremennej trubice, poruchou mikrovlnnej rúry atď.; biele škvrny sú spôsobené hlavne malými čiernymi škvrnami v predchádzajúcom procese. Monitorovanie odrazivosti, indexu lomu atď., bezpečnosti špeciálnych plynov atď.
Biele škvrny na povrchu:
PECVD je relatívne dôležitý proces v solárnych článkoch a dôležitý ukazovateľ účinnosti solárnych článkov spoločnosti. Proces PECVD je vo všeobecnosti náročný a každá dávka článkov musí byť monitorovaná. Existuje veľa rúrok na nanášanie náterov a každá rúrka má vo všeobecnosti stovky článkov (v závislosti od zariadenia). Po zmene parametrov procesu je overovací cyklus dlhý. Technológia nanášania náterov je technológia, ktorej celý fotovoltaický priemysel prikladá veľký význam. Účinnosť solárnych článkov sa dá zlepšiť zlepšením technológie nanášania náterov. V budúcnosti sa technológia povrchu solárnych článkov môže stať prelomom v teoretickej účinnosti solárnych článkov.
Čas uverejnenia: 23. decembra 2024