Ҳадафи мо бояд муттаҳид ва беҳтар кардани сифат ва хидматрасонии молҳои мавҷуда бошад ва дар айни замон мунтазам маҳсулот ва роҳҳои ҳалли навро барои қонеъ кардани талаботи муштариёни гуногун барои беҳтарин нарх барои таъминоти графити тобовар ба ҳарорати баланд дар Чин таҳия кунем. Фаромӯш накунед, ки барои ташкили созмон бо мо тамос гиред ва мо боварӣ дорем, ки таҷрибаи муфидтарини тиҷоратиро бо ҳамаи тоҷирони худ мубодила хоҳем кард.
Ҳадафи мо бояд муттаҳид ва беҳтар кардани сифат ва хидматрасонии молҳои мавҷуда ва ҳамзамон таҳияи мунтазами маҳсулот ва роҳҳои ҳалли нав барои қонеъ кардани талаботи муштариёни гуногун бошад.Рехтагарии графити Чин, Маҷмӯаи таёқи графитӣБарои он ки муштариён ба мо эътимоди бештар дошта бошанд ва хидматрасонии бароҳаттаринро ба даст оранд, мо ширкати худро бо ростқавлӣ, самимият ва сифати беҳтарин идора мекунем. Мо итминони комил дорем, ки ба мизоҷон дар идоракунии муваффақтари тиҷораташон кумак кардан хурсандии мост ва маслиҳат ва хидматрасонии коршиносони мо метавонад ба интихоби мувофиқтар барои муштариён оварда расонад.
Карбон / композитҳои карбон(минбаъд ҳамчун «C / C ё CFC”) як навъи маводи композитӣ аст, ки бар асоси карбон сохта шудааст ва бо нахи карбон ва маҳсулоти он (преформаи нахи карбон) мустаҳкам карда шудааст. Он ҳам инерсияи карбон ва ҳам қувваи баланди нахи карбонро дорад. Он дорои хосиятҳои хуби механикӣ, муқовимат ба гармӣ, муқовимат ба зангзанӣ, коҳиши соиш ва хусусиятҳои гузаронандагии гармӣ ва барқӣ мебошад.
CVD-SiCПӯшиш дорои хусусиятҳои сохтори якхела, маводи паймон, муқовимат ба ҳарорати баланд, муқовимат ба оксидшавӣ, покии баланд, муқовимат ба кислота ва ишқор ва реагенти органикӣ буда, хосиятҳои физикӣ ва химиявии устувор дорад.
Дар муқоиса бо маводҳои графити тозагии баланд, графит дар ҳарорати 400°C оксид шуданро оғоз мекунад, ки боиси аз даст додани хока аз сабаби оксидшавӣ мегардад, ки боиси ифлосшавии муҳити зист ба дастгоҳҳои периферӣ ва камераҳои вакуумӣ мегардад ва ифлосшавии муҳити тозагии баландро зиёд мекунад.
Аммо, пӯшиши SiC метавонад устувории физикӣ ва химиявиро дар ҳарорати 1600 дараҷа нигоҳ дорад ва он дар саноати муосир, бахусус дар саноати нимноқилҳо, васеъ истифода мешавад.
Ширкати мо хидматҳои раванди пӯшонидани SiC-ро бо усули CVD дар сатҳи графит, сафол ва дигар маводҳо пешниҳод мекунад, то ки газҳои махсуси дорои карбон ва кремний дар ҳарорати баланд реаксия карда, молекулаҳои SiC-и тозагии баландро ба даст оранд, ки молекулаҳо дар сатҳи маводҳои пӯшонидашуда ҷойгир шуда, қабати муҳофизатии SIC-ро ташкил медиҳанд. SIC-и ташкилшуда ба пойгоҳи графит мустаҳкам часпида, ба пойгоҳи графит хосиятҳои махсус медиҳад ва бо ин роҳ сатҳи графитро фишурда, бе сӯрохӣ, муқовимати ҳарорати баланд, муқовимати зангзанӣ ва муқовимати оксидшавӣ мегардонад.
Хусусиятҳои асосӣ:
1. Муқовимати оксидшавии ҳарорати баланд:
Муқовимати оксидшавӣ ҳангоми баланд шудани ҳарорат то 1600°C хеле хуб аст.
2. Покии баланд: бо роҳи таҳшиншавии буғи кимиёвӣ дар шароити хлоркунии ҳарорати баланд сохта шудааст.
3. Муқовимат ба эрозия: сахтии баланд, сатҳи фишурда, зарраҳои майда.
4. Муқовимат ба зангзанӣ: кислота, ишқор, намак ва реагентҳои органикӣ.
Хусусиятҳои асосии рӯйпӯшҳои CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Зичӣ | (г/см³)
| 3.21 |
| Қувваи хамшавӣ | (Мпа)
| 470 |
| Васеъшавии гармӣ | (10-6/K) | 4
|
| Гармигузаронӣ | (Вт/мК) | 300
|
