ซีวีดี-ซิลิกอนสารเคลือบมีคุณลักษณะของโครงสร้างที่สม่ำเสมอ วัสดุที่กะทัดรัด ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการเกิดออกซิเดชัน ความบริสุทธิ์สูง ทนต่อกรดและด่างและสารรีเอเจนต์อินทรีย์ พร้อมด้วยคุณสมบัติทางกายภาพและทางเคมีที่เสถียร

เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุกราไฟท์ที่มีความบริสุทธิ์สูง กราไฟท์จะเริ่มออกซิไดซ์ที่ 400C ซึ่งจะทำให้ผงสูญเสียเนื่องจากการออกซิเดชัน ส่งผลให้เกิดมลภาวะต่อสิ่งแวดล้อมต่ออุปกรณ์ต่อพ่วงและห้องสุญญากาศ และเพิ่มสิ่งเจือปนจากสภาพแวดล้อมที่มีความบริสุทธิ์สูง

อย่างไรก็ตาม การเคลือบ SiC สามารถรักษาเสถียรภาพทางกายภาพและเคมีได้ที่อุณหภูมิ 1,600 องศา ซึ่งถูกใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมสมัยใหม่ โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

บริษัทของเราให้บริการกระบวนการเคลือบ SiC ด้วยวิธี CVD บนพื้นผิวของกราไฟท์ เซรามิก และวัสดุอื่นๆ เพื่อให้ก๊าซพิเศษที่มีคาร์บอนและซิลิกอนทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิสูงเพื่อให้ได้โมเลกุล SiC ที่มีความบริสุทธิ์สูง โมเลกุลที่เกาะอยู่บนพื้นผิวของวัสดุเคลือบ และสร้างชั้นป้องกัน SIC โมเลกุล SIC ที่เกิดขึ้นจะยึดติดกับฐานกราไฟท์อย่างแน่นหนา ทำให้ฐานกราไฟท์มีคุณสมบัติพิเศษ จึงทำให้พื้นผิวของกราไฟท์แน่น ไม่มีรูพรุน ทนต่ออุณหภูมิสูง ทนต่อการกัดกร่อน และทนต่อการเกิดออกซิเดชัน

คุณสมบัติหลัก:

1. ทนทานต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:

ความต้านทานการเกิดออกซิเดชันยังคงดีมากเมื่ออุณหภูมิสูงถึง 1,600 องศาเซลเซียส

2. ความบริสุทธิ์สูง: ผลิตโดยการสะสมไอเคมีภายใต้สภาวะคลอรีนที่อุณหภูมิสูง

3. ความทนทานต่อการกัดกร่อน: ความแข็งสูง พื้นผิวแน่น อนุภาคละเอียด

4. ความทนทานต่อการกัดกร่อน: กรด, ด่าง, เกลือ และสารอินทรีย์

ข้อมูลจำเพาะหลักของการเคลือบ CVD-SIC: