Ҷузъҳои бо пӯшонидашудаи SiC CVD барои эпитаксияи силикон (Si Epi)

Суссепторҳои пӯшонидашудаи CVD SiC, дискҳои моҳвораӣ ва ҷузъҳои майдони гармӣ, ки барои системаҳои якқабатаи вафлӣ ва партиявии ҷойгиркунии силикони эпитаксиалӣ тарҳрезӣ шудаанд, якрангии аълои гармӣ ва сифрии беруншавии газро таъмин мекунанд. Қабати пӯшиши мукаабии β-SiC бо зичии баланд субстрати графити тозаи баландро пурра пӯшонида, аз кандакории реактивии газ (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) пешгирӣ мекунад ва сатҳи хеле пасти ифлосшавии металлиро (<5 ppm) ҳангоми коркарди SiEpi дар ҳарорати баланд (1000°C - 1200°C) кафолат медиҳад.