Ränikarbiid (SiC)Pooljuhtmaterjal on laia keelutsooni pooljuhtide seas kõige küpsem. SiC pooljuhtmaterjalidel on suur rakenduspotentsiaal kõrge temperatuuri, kõrgsageduse, suure võimsusega, fotoelektroonika ja kiirguskindlate seadmete puhul tänu oma laiale keelutsoonile, suurele läbilöögielektriväljale, kõrgele soojusjuhtivusele, küllastuselektronide suurele liikuvusele ja väiksemale suurusele. Ränikarbiidil on lai kasutusala: tänu laiale keelutsoonile saab seda kasutada siniste valgusdioodide või ultraviolettkiirguse detektorite valmistamiseks, mida päikesevalgus vaevu mõjutab; kuna pinget või elektrivälja talub see kaheksa korda rohkem kui räni või galliumarseniidi puhul, sobib see eriti hästi kõrgepinge ja suure võimsusega seadmete, näiteks kõrgepinge dioodide, võimsustrioodide, räni abil juhitavate ja suure võimsusega mikrolaineseadmete tootmiseks; tänu küllastuselektronide suurele migratsioonikiirusele saab seda valmistada mitmesuguste kõrgsagedusseadmete (RF ja mikrolaine) valmistamiseks.Ränikarbiidon hea soojusjuht ja juhib soojust paremini kui ükski teine pooljuhtmaterjal, mis võimaldab ränikarbiidist seadmetel töötada kõrgetel temperatuuridel.
Konkreetse näitena valmistub APEI praegu välja töötama oma äärmuslikes tingimustes töötavat alalisvoolumootori ajamisüsteemi NASA Venus Explorer (VISE) jaoks, kasutades ränikarbiidi komponente. Projekteerimisfaasis on eesmärk maanduda uurimisrobotid Veenuse pinnale.
Lisaks, sränikarbiidSellel on tugev ioonne kovalentne side, kõrge kõvadus, vasest parem soojusjuhtivus, hea soojuseraldusvõime, väga tugev korrosioonikindlus, kiirguskindlus, kõrge temperatuuritaluvus ja hea keemiline stabiilsus ning muud omadused. Sellel on lai valik rakendusi lennundustehnoloogia valdkonnas. Näiteks ränikarbiidist materjalide kasutamine kosmoselaevade ettevalmistamiseks astronautidele ja teadlastele elamiseks ja töötamiseks.
Postituse aeg: 01.08.2022