Silic cacbua (SiC)Vật liệu bán dẫn là vật liệu trưởng thành nhất trong số các chất bán dẫn có khoảng cách băng rộng đã phát triển. Vật liệu bán dẫn SiC có tiềm năng ứng dụng lớn trong các thiết bị nhiệt độ cao, tần số cao, công suất cao, quang điện tử và chống bức xạ do khoảng cách băng rộng, trường điện đánh thủng cao, độ dẫn nhiệt cao, độ linh động của electron bão hòa cao và kích thước nhỏ hơn. Silic cacbua có phạm vi ứng dụng rộng: do khoảng cách băng rộng của nó, nó có thể được sử dụng để chế tạo điốt phát sáng màu xanh lam hoặc máy dò tia cực tím hầu như không bị ảnh hưởng bởi ánh sáng mặt trời; Vì điện áp hoặc trường điện có thể được dung nạp gấp tám lần so với silicon hoặc gali arsenide, đặc biệt thích hợp để sản xuất các thiết bị công suất cao điện áp cao như điốt điện áp cao, triode công suất, silicon được điều khiển và các thiết bị vi sóng công suất cao; Vì tốc độ di chuyển electron bão hòa cao, có thể được chế tạo thành nhiều loại thiết bị tần số cao (RF và vi sóng);Silic cacbualà chất dẫn nhiệt tốt và dẫn nhiệt tốt hơn bất kỳ vật liệu bán dẫn nào khác, giúp các thiết bị silicon carbide hoạt động ở nhiệt độ cao.
Một ví dụ cụ thể, APEI hiện đang chuẩn bị phát triển hệ thống truyền động động cơ DC môi trường khắc nghiệt cho Venus Explorer (VISE) của NASA bằng cách sử dụng các thành phần silicon carbide. Vẫn đang trong giai đoạn thiết kế, mục tiêu là đưa robot thám hiểm lên bề mặt sao Kim.
Ngoài ra, scacbua siliccó liên kết cộng hóa trị ion mạnh, có độ cứng cao, dẫn nhiệt tốt hơn đồng, hiệu suất tản nhiệt tốt, khả năng chống ăn mòn rất mạnh, khả năng chống bức xạ, chịu nhiệt độ cao và độ ổn định hóa học tốt và các tính chất khác, có phạm vi ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực công nghệ hàng không vũ trụ. Ví dụ, sử dụng vật liệu silicon carbide để chuẩn bị tàu vũ trụ cho các phi hành gia, nhà nghiên cứu sinh sống và làm việc.
Thời gian đăng: 01-08-2022