Silikon karbida (SiC)Bahan semikonduktor adalah yang paling matang di antara semikonduktor jurang jalur lebar yang dibangunkan. Bahan semikonduktor SiC mempunyai potensi aplikasi yang besar dalam peranti suhu tinggi, frekuensi tinggi, kuasa tinggi, fotoelektronik dan tahan sinaran kerana jurang jalur lebar, medan elektrik pecahan tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, mobiliti elektron tepu yang tinggi dan saiz yang lebih kecil. Silikon karbida mempunyai pelbagai aplikasi: kerana jurang jalur lebarnya, ia boleh digunakan untuk membuat diod pemancar cahaya biru atau pengesan ultraungu yang hampir tidak terjejas oleh cahaya matahari; kerana voltan atau medan elektrik boleh diterima lapan kali ganda daripada silikon atau galium arsenida, terutamanya sesuai untuk pembuatan peranti berkuasa tinggi voltan tinggi seperti diod voltan tinggi, triod kuasa, peranti gelombang mikro terkawal silikon dan berkuasa tinggi; kerana kelajuan penghijrahan elektron tepu yang tinggi, boleh dibuat menjadi pelbagai peranti frekuensi tinggi (RF dan gelombang mikro);Silikon karbidamerupakan konduktor haba yang baik dan mengalirkan haba lebih baik daripada bahan semikonduktor lain, yang menjadikan peranti silikon karbida berfungsi pada suhu tinggi.
Sebagai contoh khusus, APEI sedang bersedia untuk membangunkan sistem pemacu motor DC persekitaran ekstremnya untuk Venus Explorer (VISE) NASA menggunakan komponen silikon karbida. Masih dalam fasa reka bentuk, matlamatnya adalah untuk mendaratkan robot penerokaan di permukaan Zuhrah.
Di samping itu, skarbida ilikonmempunyai ikatan kovalen ionik yang kuat, ia mempunyai kekerasan yang tinggi, kekonduksian terma berbanding kuprum, prestasi pelesapan haba yang baik, rintangan kakisan yang sangat kuat, rintangan sinaran, rintangan suhu tinggi dan kestabilan kimia yang baik serta sifat-sifat lain, mempunyai pelbagai aplikasi dalam bidang teknologi aeroangkasa. Contohnya, penggunaan bahan silikon karbida untuk menyediakan kapal angkasa untuk angkasawan, penyelidik untuk tinggal dan bekerja.
Masa siaran: 01-Ogos-2022