Silicia karbido (SiC)Duondukta materialo estas la plej matura inter la disvolvitaj duonkonduktaĵoj kun larĝa bendbreĉo. SiC-duonkonduktaĵoj havas grandan aplikan potencialon en aparatoj kun alta temperaturo, alta frekvenco, alta potenco, fotoelektroniko kaj radiado-rezistaj aparatoj pro sia larĝa bendbreĉo, alta disfala elektra kampo, alta varmokondukteco, alta saturiĝa elektrona movebleco kaj pli malgranda grandeco. Silicia karbido havas vastan gamon da aplikoj: pro sia larĝa bendbreĉo, ĝi povas esti uzata por fari bluajn lum-elsendantajn diodojn aŭ ultraviolajn detektilojn, kiuj apenaŭ estas influitaj de sunlumo; ĉar la tensio aŭ elektra kampo povas esti tolerita ok fojojn ol silicio aŭ galiuma arsenido, ĝi estas aparte taŭga por fabrikado de alttensiaj altpotencaj aparatoj kiel ekzemple alttensiaj diodoj, potencaj triodoj, silici-kontrolitaj kaj altpotencaj mikroondaj aparatoj; pro la alta saturiĝa elektrona migradrapido, ĝi povas esti transformita en diversajn altfrekvencajn aparatojn (RF kaj mikroondo);Siliciokarbidoestas bona varmokonduktilo kaj konduktas varmon pli bone ol iu ajn alia duonkondukta materialo, kio igas siliciajn karbidajn aparatojn funkcii je altaj temperaturoj.
Kiel specifan ekzemplon, APEI nuntempe preparas disvolvi sian sistemon por motoro de kontinua kurento por ekstremaj medioj por la Venusa Esplorilo (VISE) de NASA uzante komponentojn de silicia karbido. Ankoraŭ en la dezajna fazo, la celo estas surterigi esplorrobotojn sur la surfaco de Venuso.
Krome, ssilika karbidohavas fortan jonan kovalentan ligon, ĝi havas altan malmolecon, varmokonduktecon super kupro, bonan varmodisradian rendimenton, korodreziston estas tre forta, radiadreziston, altan temperaturreziston kaj bonan kemian stabilecon kaj aliajn ecojn, havas vastan gamon da aplikoj en la kampo de aerspaca teknologio. Ekzemple, la uzo de siliciaj karbidaj materialoj por prepari kosmoŝipojn por astronaŭtoj, esploristoj por vivi kaj labori.
Afiŝtempo: 1-a de aŭgusto 2022