Карбид кремния (SiC)Полупроводниковый материал является наиболее зрелым среди широкозонных полупроводников, разработанных. Полупроводниковые материалы SiC имеют большой потенциал применения в высокотемпературных, высокочастотных, высокомощных, фотоэлектронных и радиационно-стойких устройствах благодаря своей широкой запрещенной зоне, высокому электрическому полю пробоя, высокой теплопроводности, высокой насыщенной подвижности электронов и меньшему размеру. Карбид кремния имеет широкий спектр применения: из-за своей широкой запрещенной зоны его можно использовать для изготовления синих светодиодов или ультрафиолетовых детекторов, которые почти не подвержены влиянию солнечного света; Поскольку напряжение или электрическое поле могут переноситься в восемь раз больше, чем кремний или арсенид галлия, особенно подходит для производства высоковольтных мощных устройств, таких как высоковольтные диоды, силовые триоды, кремниевые управляемые и мощные микроволновые устройства; Из-за высокой скорости миграции электронов насыщения его можно использовать в различных высокочастотных устройствах (РЧ и СВЧ);карбид кремнияявляется хорошим проводником тепла и проводит тепло лучше, чем любой другой полупроводниковый материал, что позволяет устройствам из карбида кремния работать при высоких температурах.
В качестве конкретного примера, APEI в настоящее время готовится разработать свою систему привода постоянного тока для экстремальных условий для Venus Explorer (VISE) NASA с использованием компонентов из карбида кремния. Пока что на стадии проектирования, цель состоит в том, чтобы посадить исследовательских роботов на поверхность Венеры.
Кроме того, скарбид кремнияимеет сильную ионно-ковалентную связь, обладает высокой твердостью, теплопроводностью по сравнению с медью, хорошими характеристиками рассеивания тепла, коррозионной стойкостью, радиационной стойкостью, высокой температурной стойкостью и хорошей химической стабильностью и другими свойствами, имеет широкий спектр применения в области аэрокосмической техники. Например, использование материалов из карбида кремния для подготовки космических аппаратов для проживания и работы астронавтов, исследователей.
Время публикации: 01.08.2022