Цахиурын карбид (SiC)Хагас дамжуулагч материал нь боловсруулсан өргөн зурвасын хагас дамжуулагчаас хамгийн боловсорч гүйцсэн материал юм. SiC хагас дамжуулагч материалууд нь өргөн зурвасын завсар, өндөр задралын цахилгаан орон, өндөр дулаан дамжуулалт, өндөр ханасан электрон хөдөлгөөн, жижиг хэмжээтэй зэргээс шалтгаалан өндөр температур, өндөр давтамж, өндөр хүчин чадал, фотоэлектроник болон цацрагт тэсвэртэй төхөөрөмжүүдэд хэрэглэх асар их боломжтой. Цахиурын карбид нь өргөн хүрээний хэрэглээтэй: өргөн зурвасын зөрүүтэй тул нарны гэрэлд бараг нөлөөлдөггүй цэнхэр гэрэл ялгаруулах диод эсвэл хэт ягаан туяаны мэдрэгч хийхэд ашиглаж болно; Хүчдэл эсвэл цахилгаан орон нь цахиур эсвэл галлийн арсенидээс найм дахин тэсвэрлэх чадвартай, ялангуяа өндөр хүчдэлийн диод, цахилгаан триод, цахиурын удирдлагатай, өндөр хүчин чадалтай богино долгионы төхөөрөмж зэрэг өндөр хүчдэлийн өндөр хүчин чадалтай төхөөрөмжүүдийг үйлдвэрлэхэд тохиромжтой; Учир нь өндөр ханасан электрон шилжих хурд нь өндөр давтамжийн төхөөрөмжүүдийн (RF болон богино долгионы) нь төрөл бүрийн хийж болно;Цахиурын карбиддулааныг сайн дамжуулагч бөгөөд бусад хагас дамжуулагч материалаас илүү дулаан дамжуулдаг тул цахиурын карбидын төхөөрөмжийг өндөр температурт ажиллуулдаг.
Тодруулбал, APEI одоогоор цахиурын карбидын бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг ашиглан НАСА-гийн Venus Explorer (VISE)-д зориулсан хэт орчны тогтмол гүйдлийн хөдөлгүүрийн хөдөлгүүрийн системийг хөгжүүлэхээр бэлтгэж байна. Дизайн шатандаа байгаа ч Сугар гаригийн гадаргуу дээр хайгуулын роботуудыг буулгах зорилго тавьж байна.
Үүнээс гадна, Силикон карбидхүчтэй ионы ковалент холбоо, энэ нь өндөр хатуулагтай, зэсээс илүү дулаан дамжуулалттай, дулаан ялгаруулах чадвар сайтай, зэврэлтэнд тэсвэртэй, маш хүчтэй, цацрагт тэсвэртэй, өндөр температурт тэсвэртэй, химийн сайн тогтвортой байдал зэрэг шинж чанаруудтай, сансар огторгуйн технологийн салбарт өргөн хүрээний хэрэглээтэй. Тухайлбал, цахиурын карбидын материал ашиглан сансрын нисгэгчид, судлаачид ажиллаж, амьдрахад зориулж сансрын хөлөг бэлтгэх.
Шуудангийн цаг: 2022 оны 8-р сарын 01-ний өдөр