Цахиурын карбид (SiC)Хагас дамжуулагч материал нь өргөн зурвасын зайтай хагас дамжуулагч дамжуулагчдын дунд хамгийн боловсронгуй нь юм. SiC хагас дамжуулагч материалууд нь өргөн зурвасын зай, өндөр задралын цахилгаан орон, өндөр дулаан дамжуулалт, өндөр ханалтын электрон хөдөлгөөн, жижиг хэмжээтэй тул өндөр температур, өндөр давтамж, өндөр хүчин чадал, фотоэлектроник болон цацрагт тэсвэртэй төхөөрөмжүүдэд маш их хэрэглээний боломжтой. Цахиурын карбид нь өргөн хүрээний хэрэглээтэй: өргөн зурвасын зайтай тул нарны гэрлийн нөлөөнд бараг өртдөггүй цэнхэр гэрэл ялгаруулах диод эсвэл хэт ягаан туяаны мэдрэгч хийхэд ашиглаж болно; Хүчдэл эсвэл цахилгаан орон нь цахиур эсвэл галлийн арсенидаас найман дахин тэсвэрлэх чадвартай тул өндөр хүчдэлийн диод, цахилгаан триод, цахиурын удирдлагатай болон өндөр хүчин чадалтай богино долгионы төхөөрөмж зэрэг өндөр хүчдэлийн өндөр хүчин чадалтай төхөөрөмж үйлдвэрлэхэд тохиромжтой; Өндөр ханалтын электрон шилжих хурдтай тул янз бүрийн өндөр давтамжийн төхөөрөмж (RF болон богино долгионы) болгон хийж болно;Цахиурын карбиднь дулааныг сайн дамжуулдаг бөгөөд бусад хагас дамжуулагч материалаас илүү дулааныг сайн дамжуулдаг тул цахиурын карбидын төхөөрөмжүүдийг өндөр температурт ажиллуулахад хүргэдэг.
Тодорхой жишээ болгон дурдвал, APEI нь одоогоор НАСА-гийн Venus Explorer (VISE) хөлгийн хувьд цахиурын карбидын бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг ашиглан extremeenvironment DC моторын хөтлөгч системийг хөгжүүлэхээр бэлтгэж байна. Одоогоор дизайны үе шатандаа явж байгаа бөгөөд зорилго нь хайгуулын роботуудыг Сугар гарагийн гадаргуу дээр буулгах явдал юм.
Үүнээс гадна,цахиурын карбидхүчтэй ионы ковалент холбоотой, өндөр хатуулагтай, зэсээс илүү дулаан дамжуулалттай, дулаан сайн тархдаг, зэврэлтэнд тэсвэртэй, маш хүчтэй, цацрагт тэсвэртэй, өндөр температурт тэсвэртэй, химийн тогтвортой байдал сайтай гэх мэт шинж чанартай, сансрын технологийн салбарт өргөн хүрээний хэрэглээтэй. Жишээлбэл, сансрын нисгэгчид, судлаачдын амьдрах, ажиллах сансрын хөлгийг бэлтгэхэд цахиурын карбидын материалыг ашиглах.
Нийтэлсэн цаг: 2022 оны 8-р сарын 1