সিলিকন কার্বাইড (SiC)উন্নত ওয়াইড ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরগুলোর মধ্যে সিলিকন কার্বাইড (SiC) হলো সবচেয়ে পরিপক্ক উপাদান। এর প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ, উচ্চ ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ স্যাচুরেশন ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং ক্ষুদ্রতর আকারের কারণে, উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ কম্পাঙ্ক, উচ্চ ক্ষমতা, ফটোইলেকট্রনিক্স এবং বিকিরণ-প্রতিরোধী যন্ত্রপাতিতে SiC সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলোর ব্যাপক প্রয়োগ সম্ভাবনা রয়েছে। সিলিকন কার্বাইডের প্রয়োগের ক্ষেত্র অনেক বিস্তৃত: এর প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপের কারণে, এটি দিয়ে নীল আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড বা অতিবেগুনি রশ্মি শনাক্তকারী যন্ত্র তৈরি করা যায় যা সূর্যালোক দ্বারা প্রায় প্রভাবিত হয় না; যেহেতু এটি সিলিকন বা গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের চেয়ে আট গুণ বেশি ভোল্টেজ বা বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র সহ্য করতে পারে, তাই এটি উচ্চ-ভোল্টেজ ডায়োড, পাওয়ার ট্রায়োড, সিলিকন নিয়ন্ত্রিত এবং উচ্চ-ক্ষমতার মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসের মতো উচ্চ-ভোল্টেজ ও উচ্চ-ক্ষমতার ডিভাইস তৈরির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত; এর উচ্চ স্যাচুরেশন ইলেকট্রন স্থানান্তরের গতির কারণে, এটি দিয়ে বিভিন্ন ধরনের উচ্চ কম্পাঙ্কের ডিভাইস (আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ) তৈরি করা যায়।সিলিকন কার্বাইডএটি তাপের একটি ভালো পরিবাহী এবং অন্য যেকোনো অর্ধপরিবাহী পদার্থের চেয়ে ভালোভাবে তাপ পরিবহন করে, যার ফলে সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলো উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে।
একটি নির্দিষ্ট উদাহরণ হিসেবে বলা যায়, এপিইআই (APEI) বর্তমানে সিলিকন কার্বাইড উপাদান ব্যবহার করে নাসার ভেনাস এক্সপ্লোরার (VISE)-এর জন্য তাদের চরম পরিবেশের ডিসি মোটর ড্রাইভ সিস্টেম তৈরি করার প্রস্তুতি নিচ্ছে। এখনও নকশা পর্যায়ে থাকা এই সিস্টেমের লক্ষ্য হলো শুক্র গ্রহের পৃষ্ঠে অনুসন্ধানকারী রোবট অবতরণ করানো।
এছাড়াও, sইলিকন কার্বাইডএর শক্তিশালী আয়নিক সমযোজী বন্ধন, উচ্চ কাঠিন্য, তামার চেয়ে বেশি তাপ পরিবাহিতা, ভালো তাপ অপসরণ ক্ষমতা, অত্যন্ত শক্তিশালী ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং ভালো রাসায়নিক স্থিতিশীলতার মতো অন্যান্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যার ফলে মহাকাশ প্রযুক্তির ক্ষেত্রে এর ব্যাপক প্রয়োগ রয়েছে। উদাহরণস্বরূপ, মহাকাশচারীদের জন্য মহাকাশযান তৈরি করতে এবং গবেষকদের বসবাস ও কাজের জন্য সিলিকন কার্বাইড উপাদান ব্যবহার করা হয়।
পোস্ট করার সময়: আগস্ট-০১-২০২২