Silicio karbidas (SiC)Puslaidininkinė medžiaga yra brandžiausia iš sukurtų plataus draudžiamojo tarpo puslaidininkių. SiC puslaidininkinės medžiagos turi didelį pritaikymo potencialą aukštos temperatūros, aukšto dažnio, didelės galios, fotoelektronikos ir spinduliuotei atspariuose įrenginiuose dėl plataus draudžiamojo tarpo, didelio pramušimo elektrinio lauko, didelio šilumos laidumo, didelio sočiųjų elektronų judrumo ir mažo dydžio. Silicio karbidas turi platų pritaikymo spektrą: dėl plataus draudžiamojo tarpo jis gali būti naudojamas mėlynos šviesos diodams arba ultravioletiniams detektoriams, kuriems saulės spinduliai beveik nepaveikia, gaminti; Kadangi įtampa arba elektrinis laukas yra aštuonis kartus atsparesni nei silicio ar galio arsenido, jis ypač tinka aukštos įtampos ir didelės galios įrenginių, tokių kaip aukštos įtampos diodai, galios triodai, silicio valdomi ir didelės galios mikrobangų įrenginiai, gamybai; Dėl didelio sočiųjų elektronų migracijos greičio jis gali būti naudojamas įvairiems aukšto dažnio įrenginiams (RF ir mikrobangų).Silicio karbidasyra geras šilumos laidininkas ir praleidžia šilumą geriau nei bet kuri kita puslaidininkinė medžiaga, todėl silicio karbido įtaisai veikia aukštoje temperatūroje.
Kaip konkretus pavyzdys, APEI šiuo metu ruošiasi kurti ekstremalioms aplinkoms skirtą nuolatinės srovės variklio pavaros sistemą NASA „Venus Explorer“ (VISE) zondui, naudodama silicio karbido komponentus. Vis dar projektavimo etape tikslas – nutupdyti tyrinėjimo robotus Veneros paviršiuje.
Be to, s.silicio karbidasTuri stiprų joninį kovalentinį ryšį, didelį kietumą, šilumos laidumą, palyginti su variu, gerą šilumos išsklaidymo efektyvumą, labai stiprų atsparumą korozijai, atsparumą radiacijai, atsparumą aukštai temperatūrai ir gerą cheminį stabilumą bei kitas savybes, plačiai taikomas aviacijos ir kosmoso technologijų srityje. Pavyzdžiui, silicio karbido medžiagos naudojamos erdvėlaiviams paruošti astronautams ir tyrėjams gyventi ir dirbti.
Įrašo laikas: 2022-08-01