CVD-SiCLe revêtement présente les caractéristiques d'une structure uniforme, d'un matériau compact, d'une résistance aux températures élevées, d'une résistance à l'oxydation, d'une pureté élevée, d'une résistance aux acides et aux alcalis et d'un réactif organique, avec des propriétés physiques et chimiques stables.

Comparé aux matériaux en graphite de haute pureté, le graphite commence à s'oxyder à 400 °C, ce qui entraînera une perte de poudre due à l'oxydation, entraînant une pollution de l'environnement des périphériques et des chambres à vide, et augmentant les impuretés de l'environnement de haute pureté.

Cependant, le revêtement SiC peut maintenir la stabilité physique et chimique à 1600 degrés. Il est largement utilisé dans l'industrie moderne, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs.

Notre entreprise propose des services de revêtement SiC par CVD sur des surfaces de graphite, de céramique et d'autres matériaux. Grâce à la réaction à haute température de gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium, des molécules de SiC de haute pureté sont obtenues. Ces molécules se déposent ensuite sur les matériaux revêtus et forment une couche protectrice de SiC. Le SiC ainsi formé adhère fermement à la base de graphite, lui conférant des propriétés spécifiques. La surface du graphite est ainsi compacte, exempte de porosité, résistante aux hautes températures, à la corrosion et à l'oxydation.

Caractéristiques principales :

1. Résistance à l'oxydation à haute température :

la résistance à l'oxydation est toujours très bonne lorsque la température atteint 1600 °C.

2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications des revêtements CVD-SIC :