Biziň harytlarymyz ulanyjylar tarapyndan giňden ykrar edilýär we ygtybarlydyr hem-de “Factory directly China Green” kompaniýasynyň yzygiderli üýtgeýän maliýe we sosial talaplaryny kanagatlandyryp bilýär.SicSilikon karbid poroşogy JIS Standard, şonuň üçin biz dürli müşderilerden dürli soraglara jogap berip bileris. Önümlerimiz barada has köp maglumat we faktlar bilen tanyşmak üçin web sahypamyzy gözden geçiriň.
Biziň harytlarymyz ulanyjylar tarapyndan giňden ykrar edilýär we ygtybarlydyr hem-de yzygiderli üýtgeýän maliýe we sosial talaplaryny kanagatlandyryp bilýär.Hytaý kremniý karbidi, Sic, Kompaniýamyz hemişe hil talabyňyzy, bahalaryňyzy we satuw maksadyňyzy kanagatlandyrmaga borçlanýar. Aragatnaşyk çäklerini açmagyňyzy mähirli garşylaýarys. Ynamdar üpjün ediji we gymmatlyk baradaky maglumata mätäç bolsaňyz, size hyzmat etmekden uly şatlyk duýýarys.
Uglerod / uglerod kompozitleri(mundan beýläk “C / C ýa-da CFC”) ugleroda esaslanýan we uglerod süýümi we onuň önümleri (uglerod süýüminiň öňünden taýýarlanan önümi) bilen berkidilen kompozit materialyň bir görnüşidir. Ol uglerodyň inersiýasyna we uglerod süýüminiň ýokary berkligine eýedir. Ol gowy mehaniki häsiýetlere, ýylylyga çydamlylyga, korroziýa garşylygyna, sürtülme dempingine we ýylylyk we elektrik geçirijilik häsiýetlerine eýedir.
CVD-SiCörtük birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura çydamlylygy, oksidlenme çydamlylygy, ýokary arassalyk, kislota we şekere çydamlylygy we durnukly fiziki we himiki häsiýetlere eýe bolan organiki reagent aýratynlyklaryna eýedir.
Ýokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-da oksidleşmäge başlaýar, bu bolsa oksidlenme sebäpli poroşogyň ýitmegine sebäp bolýar, bu bolsa daşky gurşawyň periferik enjamlaryna we wakuum kameralaryna hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapaçylyklarynyň köpelmegine getirýär.
Şeýle-de bolsa, SiC örtügi 1600 gradusda fiziki we himiki durnuklylygy saklap bilýär, ol häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji senagatynda giňden ulanylýar.
Kompaniýamyz grafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen SiC örtük proses hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary, SIC gorag gatlagyny emele getirýär. Emele gelen SIC grafit binýadyna berk baglanyp, grafit binýadyna ýörite häsiýetleri berýär, şeýlelik bilen grafitiň ýüzüni ykjam, gözenekli, ýokary temperatura çydamly, korroziýa we oksidlenme çydamly edýär.
Esasy aýratynlyklar:
1. Ýokary temperatura oksidlenme garşylygy:
temperatura 1600 C çenli ýokary bolanda hem oksidlenme garşylygy örän gowy bolýar.
2. Ýokary arassalyk: ýokary temperatura hlorlamak şertinde himiki bug çökündisi arkaly ýasalýar.
3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.
4. Korroziýa garşylygy: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.
CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:
| SiC-CVD | ||
| Dykyzlyk | (g/cc)
| 3.21 |
| Bükülme güýji | (Mpa)
| 470 |
| Termal giňelme | (10-6/K) | 4
|
| Ýylylyk geçirijiligi | (W/mK) | 300
|
