CVD-SiCLớp phủ có đặc điểm cấu trúc đồng nhất, vật liệu đặc chắc, chịu nhiệt độ cao, chống oxy hóa, độ tinh khiết cao, chống axit, kiềm và thuốc thử hữu cơ, với các tính chất vật lý và hóa học ổn định.

So với các vật liệu than chì có độ tinh khiết cao, than chì bắt đầu bị oxy hóa ở 400°C, dẫn đến hao hụt bột do quá trình oxy hóa, gây ô nhiễm môi trường cho các thiết bị ngoại vi và buồng chân không, đồng thời làm tăng tạp chất trong môi trường có độ tinh khiết cao.

Tuy nhiên, lớp phủ SiC có thể duy trì độ ổn định vật lý và hóa học ở nhiệt độ 1600 độ C, do đó được sử dụng rộng rãi trong công nghiệp hiện đại, đặc biệt là trong ngành công nghiệp bán dẫn.

Công ty chúng tôi cung cấp dịch vụ phủ SiC bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác. Cụ thể, các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao. Các phân tử này được lắng đọng trên bề mặt vật liệu được phủ, tạo thành lớp bảo vệ SiC. Lớp SiC hình thành liên kết chặt chẽ với nền than chì, mang lại cho nền than chì những đặc tính đặc biệt, giúp bề mặt than chì trở nên đặc chắc, không có lỗ rỗng, chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn và chống oxy hóa.

Các tính năng chính:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:

Khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt ngay cả khi nhiệt độ cao tới 1600°C.

2. Độ tinh khiết cao: được sản xuất bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.

3. Khả năng chống mài mòn: độ cứng cao, bề mặt đặc chắc, hạt mịn.

4. Khả năng chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ.

Các thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC: