Diretamente da fábrica na China, pó de carbeto de silício verde (SiC) padrão JIS.

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Nossos produtos são amplamente reconhecidos e confiáveis ​​pelos usuários e podem atender às demandas financeiras e sociais em constante mudança. Diretamente da fábrica na China VerdeSicPó de carboneto de silício em conformidade com o padrão JIS. Portanto, podemos atender a diferentes solicitações de diversos clientes. Visite nosso site para obter mais informações sobre nossos produtos.
Nossos produtos são amplamente reconhecidos e confiáveis ​​pelos usuários e podem atender às demandas financeiras e sociais em constante mudança.Carboneto de silício da China, SicNossa empresa está sempre comprometida em atender às suas exigências de qualidade, preços e metas de vendas. Será um prazer abrir as portas para a comunicação com você. Será um grande prazer atendê-lo caso precise de um fornecedor confiável e informações valiosas.

Descrição do produto

Carbono / compósitos de carbono(doravante denominado “C/C ou CFC”O compósito é um tipo de material compósito à base de carbono, reforçado com fibra de carbono e seus derivados (pré-formas de fibra de carbono). Possui a inércia do carbono e a alta resistência da fibra de carbono. Apresenta boas propriedades mecânicas, resistência ao calor, resistência à corrosão, amortecimento por fricção e características de condutividade térmica e elétrica.

CVD-SiCO revestimento apresenta características como estrutura uniforme, material compacto, alta resistência à temperatura, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e a reagentes orgânicos, além de propriedades físico-químicas estáveis.

Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400°C, o que causa perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental em dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, além de aumentar as impurezas em ambientes de alta pureza.

No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus, sendo amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

Nossa empresa oferece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais. Nesse processo, gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza. Essas moléculas são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SiC. O SiC formado adere firmemente à base de grafite, conferindo-lhe propriedades especiais, tornando sua superfície compacta, isenta de porosidade, resistente a altas temperaturas, à corrosão e à oxidação.

 Processamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafite

Principais características:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas:

A resistência à oxidação permanece muito boa mesmo quando a temperatura atinge 1600 °C.

2. Alta pureza: fabricado por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

 

Principais especificações dos revestimentos CVD-SiC:

SiC-CVD

Densidade

(g/cc)

3.21

Resistência à flexão

(Mpa)

470

Expansão térmica

(10-6/K)

4

Condutividade térmica

(W/mK)

300

Imagens detalhadas

Processamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafiteProcessamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafiteProcessamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafiteProcessamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafiteProcessamento de revestimento de SiC em susceptores MOCVD de superfície de grafite

Informações da empresa

111

Equipamentos de fábrica

222

Armazém

333

Certificações

Certificações22

 


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