Порошок зеленого карбида кремния (JIS) напрямую с завода в Китае.

Краткое описание:


Подробная информация о товаре

Метки товаров

Наша продукция широко признана и надежна среди пользователей и может удовлетворять постоянно меняющиеся финансовые и социальные потребности заводов, работающих напрямую с китайскими производителями экологически чистой продукции.СикПорошок карбида кремния соответствует стандарту JIS, поэтому мы можем удовлетворить различные запросы от разных клиентов. Обязательно посетите наш веб-сайт, чтобы узнать больше информации о нашей продукции.
Наша продукция широко признана и надежна среди пользователей и способна удовлетворять постоянно меняющиеся финансовые и социальные потребности.Китайский карбид кремния, СикНаша компания всегда стремится удовлетворить ваши требования к качеству, ценам и целевым показателям продаж. Мы будем рады сотрудничеству и открытости в общении. Нам будет приятно сотрудничать с вами, если вам нужен надежный поставщик и ценная информация.

Описание продукта

Углерод/углеродные композиты(далее именуемый «C/C или CFC”Это композитный материал на основе углерода, армированный углеродным волокном и его продуктами (заготовками из углеродного волокна). Он обладает как инерцией углерода, так и высокой прочностью углеродного волокна. Он имеет хорошие механические свойства, термостойкость, коррозионную стойкость, гашение трения, а также тепло- и электропроводность.

CVD-SiCПокрытие обладает такими характеристиками, как однородная структура, компактность материала, высокая термостойкость, стойкость к окислению, высокая чистота, кислото- и щелочестойкость, а также устойчивость к органическим реагентам, и имеет стабильные физико-химические свойства.

По сравнению с высокочистыми графитовыми материалами, графит начинает окисляться при 400°C, что приводит к потере порошка из-за окисления, загрязнению окружающей среды, повреждению периферийных устройств и вакуумных камер, а также увеличению количества примесей в среде высокой чистоты.

Однако покрытие из карбида кремния (SiC) сохраняет физическую и химическую стабильность при температуре 1600 градусов и широко используется в современной промышленности, особенно в полупроводниковой промышленности.

Наша компания предоставляет услуги по нанесению SiC-покрытия методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов. В процессе нанесения покрытия специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре, получая высокочистые молекулы SiC, которые осаждаются на поверхности покрываемых материалов, образуя защитный слой SiC. Образовавшийся SiC прочно связывается с графитовой основой, придавая ей особые свойства, благодаря чему поверхность графита становится плотной, без пор, обладает высокой термостойкостью, коррозионной стойкостью и стойкостью к окислению.

 Обработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторов

Основные характеристики:

1. Высокая термостойкость к окислению:

Стойкость к окислению остается очень хорошей даже при температуре 1600 °C.

2. Высокая чистота: получено методом химического осаждения из газовой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.

3. Эрозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность, мелкий размер частиц.

4. Коррозионная стойкость: к кислотам, щелочам, солям и органическим реагентам.

 

Основные характеристики CVD-SIC покрытий:

SiC-CVD

Плотность

(г/см³)

3.21

прочность на изгиб

(Мпа)

470

Тепловое расширение

(10-6/K)

4

Теплопроводность

(Вт/мК)

300

Детальные изображения

Обработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторовОбработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторовОбработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторовОбработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторовОбработка SiC-покрытия на графитовой поверхности MOCVD-сусцепторов

Информация о компании

111

Заводское оборудование

222

Склад

333

Сертификаты

Сертификаты22

 


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат в WhatsApp!