Oblea de silicona tipo P de 6 polgadas

Descrición curta:

A oblea de silicio tipo P de 6 polgadas de VET Energy é un material base semicondutor de alta calidade, amplamente utilizado na fabricación de diversos dispositivos electrónicos. VET Energy emprega un proceso avanzado de crecemento CZ para garantir que a oblea teña unha excelente calidade cristalina, baixa densidade de defectos e alta uniformidade.


Detalle do produto

Etiquetas do produto

A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas de silicio. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo substrato de SiC, oblea de SOI, substrato de SiN, oblea de Epi, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ancha como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores e outros campos.

Campos de aplicación:
Circuítos integrados:Como material básico para a fabricación de circuítos integrados, as obleas de silicio de tipo P úsanse amplamente en diversos circuítos lóxicos, memorias, etc.
Dispositivos de alimentación:As obleas de silicio de tipo P pódense usar para fabricar dispositivos de alimentación como transistores de potencia e díodos.
Sensores:As obleas de silicio tipo P pódense usar para fabricar varios tipos de sensores, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.
Células solares:As obleas de silicio de tipo P son un compoñente importante das células solares.

VET Energy ofrece aos clientes solucións de obleas personalizadas e pode personalizar obleas con diferentes resistividades, diferentes contidos de osíxeno, diferentes grosores e outras especificacións segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos asistencia técnica profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a resolver diversos problemas que atopan no proceso de produción.

第6页-36
第6页-35

ESPECIFICACIÓNS DE WAFERING

*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 µm

≤6 µm

Arco (GF3YFCD) - Valor absoluto

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm

<2 μm

Bordo da oblea

Biselado

ACABADO DA SUPERFICIE

*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Pulido óptico de dobre cara, CMP Si-Face

Rugosidade da superficie

(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm
Ra da cara C ≤ 0,5 nm

(5um x 5um) Ra ≤ 0,2 nm da cara de silicio
Cara C Ra≤0.5nm

Chips de bordo

Ningún permitido (lonxitude e anchura ≥0,5 mm)

Sangrías

Ningún permitido

Rasguños (Si-Face)

Cantidade ≤5, acumulativa
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cantidade ≤5, acumulativa
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cantidade ≤5, acumulativa
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Gretas

Ningún permitido

Exclusión de bordos

3 mm

tecnoloxia_1_2_tamaño
下载 (2)

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Chat en liña de WhatsApp!