A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas de silicio. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo substrato de SiC, oblea de SOI, substrato de SiN, oblea de Epi, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ancha como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores e outros campos.
Campos de aplicación:
•Circuítos integrados:Como material básico para a fabricación de circuítos integrados, as obleas de silicio de tipo P úsanse amplamente en diversos circuítos lóxicos, memorias, etc.
•Dispositivos de alimentación:As obleas de silicio de tipo P pódense usar para fabricar dispositivos de alimentación como transistores de potencia e díodos.
•Sensores:As obleas de silicio tipo P pódense usar para fabricar varios tipos de sensores, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:As obleas de silicio de tipo P son un compoñente importante das células solares.
VET Energy ofrece aos clientes solucións de obleas personalizadas e pode personalizar obleas con diferentes resistividades, diferentes contidos de osíxeno, diferentes grosores e outras especificacións segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos asistencia técnica profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a resolver diversos problemas que atopan no proceso de produción.
ESPECIFICACIÓNS DE WAFERING
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bordo da oblea | Biselado | ||||
ACABADO DA SUPERFICIE
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabado superficial | Pulido óptico de dobre cara, CMP Si-Face | ||||
| Rugosidade da superficie | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5um x 5um) Ra ≤ 0,2 nm da cara de silicio | |||
| Chips de bordo | Ningún permitido (lonxitude e anchura ≥0,5 mm) | ||||
| Sangrías | Ningún permitido | ||||
| Rasguños (Si-Face) | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | ||
| Gretas | Ningún permitido | ||||
| Exclusión de bordos | 3 mm | ||||
-
Barco de grafito solar para Pecvd
-
Rotor de grafito para bomba de baleiro
-
Pila de combustible de hidróxeno de 100 kW refrixerada por auga para...
-
Xerador de drons Pem con pila de combustible de hidróxeno...
-
Dron de combustible de hidróxeno de baixo custo Xerador de hidróxeno Sofc...
-
Consumibles de equipos semicondutores de alúmina cer...