Pezas epitaxiais de Si

Compoñentes revestidos de SiC por CVD para epitaxia de silicio (Si Epi)

Deseñados con precisión para sistemas de deposición epitaxial de silicio de oblea única e por lotes, os nosos susceptores, discos satélites e compoñentes de campo térmico revestidos de SiC por CVD ofrecen unha uniformidade térmica excepcional e unha desgasificación cero. A capa de revestimento β-SiC cúbica de alta densidade encapsula completamente o substrato de grafito de alta pureza, evitando o gravado reactivo de gases (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) e garantindo niveis de impurezas metálicas ultrabaixos (< 5 ppm) durante o procesamento de Si Epi a alta temperatura (1000 °C - 1200 °C).

Uniformidade do campo térmico

A emisividade controlada garante unha consistencia precisa do grosor da película de bordo a centro da oblea.

Resistencia ao gravado con HCl

Ofrece unha protección robusta contra produtos químicos de limpeza da cámara in situ e choques térmicos.

Compatibilidade do sistema OEM

Mecanizado CNC de precisión para adaptarse ás ferramentas Epi convencionais de oblea única de 200 mm/300 mm (Applied Materials, ASM).

Parámetro técnico	Valor da especificación	Estándar / Método de proba
Material de revestimento	CVD β-SiC (Fase Cúbica)	Estrutura cristalina de alta densidade
Material do substrato	Grafito isostático ultrapuro	Densidade: 1,82 - 1,88 g/cm³
Pureza química	Impurezas totais < 5 ppm	GDMS probado
Espesor do revestimento	80 μm - 150 μm	Uniformidade ≤ ±5%