Szilícium-karbid (SiC) epitaxiális ostya

Rövid leírás:

A VET Energy szilícium-karbid (SiC) epitaxiális szeletét nagy teljesítményű hordozóként tervezték, amelyet a következő generációs teljesítmény- és rádiófrekvenciás eszközök szigorú követelményeinek kielégítésére terveztek. A VET Energy biztosítja, hogy minden egyes epitaxiális szeletet aprólékosan gyártsanak a kiváló hővezető képesség, átütési feszültség és töltéshordozó-mobilitás biztosítása érdekében, így ideális olyan alkalmazásokhoz, mint az elektromos járművek, az 5G kommunikáció és a nagy hatékonyságú teljesítményelektronika.

Küldjön nekünk e-mailt Letöltés PDF-ként

Termék részletei

Termékcímkék

A VET Energy szilícium-karbid (SiC) epitaxiális szelet egy nagy teljesítményű, széles tiltott sávú félvezető anyag, kiváló magas hőmérséklet-állósággal, nagy frekvenciával és nagy teljesítményjellemzőkkel. Ideális hordozó az új generációs teljesítményelektronikai eszközökhöz. A VET Energy fejlett MOCVD epitaxiális technológiát alkalmaz a kiváló minőségű SiC epitaxiális rétegek SiC hordozókra történő növesztésére, biztosítva a szelet kiváló teljesítményét és konzisztenciáját.

Szilícium-karbid (SiC) epitaxiális waferünk kiváló kompatibilitást kínál számos félvezető anyaggal, beleértve a Si wafert, SiC szubsztrátot, SOI wafert és SiN szubsztrátot. Robusztus epitaxiális rétegének köszönhetően támogatja az olyan fejlett folyamatokat, mint az Epi wafer növekedése és integrációja olyan anyagokkal, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN wafer, biztosítva a sokoldalú felhasználást a különböző technológiákban. Az ipari szabványú kazettakezelő rendszerekkel való kompatibilitásra tervezve hatékony és gördülékeny működést biztosít a félvezetőgyártási környezetekben.

A VET Energy termékkínálata nem korlátozódik a SiC epitaxiális szeletekre. Széles választékban kínálunk félvezető szubsztrát anyagokat is, beleértve a Si szeletet, SiC szubsztrátot, SOI szeletet, SiN szubsztrátot, Epi szeletet stb. Emellett aktívan fejlesztünk új, széles tiltott sávú félvezető anyagokat, mint például a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN szelet, hogy kielégítsük a jövőbeli teljesítményelektronikai ipar nagyobb teljesítményű eszközök iránti igényeit.

OSTYA SPECIFIKÁCIÓK

*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=Félszigetelő

Tétel	8 hüvelykes	6 hüvelykes			4 hüvelykes
Tétel	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 μm	≤6 μm
Íj (GF3YFCD) - Abszolút érték	≤15 μm	≤15 μm	≤25 μm		≤15 μm
Warp (GF3YFER)	≤25 μm	≤25 μm	≤40 μm		≤25 μm
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm	<2 μm
Ostyaél	Ferde élezés

FELÜLETKEZELÉS

*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=Félszigetelő

Tétel	8 hüvelykes	6 hüvelykes			4 hüvelykes
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Felületkezelés	Kétoldalas optikai polírozó, Si-arcú CMP
Felületi érdesség	(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0.2nm C-felület Ra≤ 0,5 nm			(5 µm x 5 µm) Si-felület Ra≤0,2 nm C-felület Ra≤0,5 nm
Élforgácsok	Nem megengedett (hosszúság és szélesség ≥0,5 mm)
Behúzások	Nincs engedélyezett
Karcolások (Si-Face)	Mennyiség ≤5, Összesített Hossz ≤0,5 × ostya átmérő	Mennyiség ≤5, Összesített Hossz ≤0,5 × ostya átmérő			Mennyiség ≤5, Összesített Hossz ≤0,5 × ostya átmérő
Repedések	Nincs engedélyezett
Élkizárás	3 mm