半導体グラファイト

半導体産業におけるグラファイト材料の要求は特に高く、微細な粒子サイズのグラファイトは、高精度、耐熱性、高強度、低損失などの利点を持ち、焼結グラファイト製品の金型などに使用されます。半導体産業で使用される黒鉛製装置（ヒーターや焼結ダイなど）は、加熱と冷却の繰り返しに耐える必要があるため、黒鉛製装置の耐用年数を延ばすには、通常、使用される黒鉛材料が安定した性能と耐熱衝撃機能を備えていることが求められます。

01 半導体結晶成長用グラファイトアクセサリー

半導体結晶を成長させるすべてのプロセスは、高温かつ腐食性の環境下で行われます。結晶成長炉の高温部には、通常、ヒーター、るつぼ、断熱シリンダー、ガイドシリンダー、電極、るつぼホルダー、電極ナットなど、耐熱性および耐腐食性に優れた高純度グラファイト製の部品が備えられています。

当社では、結晶製造装置のあらゆる黒鉛部品を製造できます。これらの部品は個別に、またはセットで供給可能で、お客様のご要望に応じて様々なサイズの黒鉛部品をカスタマイズすることも可能です。製品のサイズは現場で測定でき、完成品の灰分含有量は低く抑えることができます。5ppm未満。

02 半導体エピタキシャル成長用グラファイトアクセサリー

エピタキシャル成長プロセスとは、単結晶基板上に、基板と同じ格子配列を持つ単結晶材料の層を成長させるプロセスを指します。エピタキシャル成長プロセスでは、ウェハをグラファイトディスク上に載せます。グラファイトディスクの性能と品質は、ウェハのエピタキシャル層の品質に大きく影響します。エピタキシャル成長の分野では、超高純度グラファイトや、SICコーティングを施した高純度グラファイトベースが大量に必要とされます。

当社製の半導体エピタキシャル成長用グラファイト基板は、幅広い用途に対応し、業界で一般的に使用されているほとんどの装置に適合します。また、高純度、均一なコーティング、優れた耐用年数、高い耐薬品性、および熱安定性を備えています。

03 イオン注入用グラファイト製アクセサリー

イオン注入とは、ホウ素、リン、ヒ素のプラズマビームを一定のエネルギーまで加速し、それをウェハ材料の表面層に注入して表面層の物性を変化させるプロセスを指します。イオン注入装置の構成部品は、耐熱性、熱伝導性に優れ、イオンビームによる腐食が少なく、不純物含有量が少ない高純度材料で作られる必要があります。高純度グラファイトはこれらの要件を満たしており、イオン注入装置のフライトチューブ、各種スリット、電極、電極カバー、導管、ビーム終端器などに使用できます。

当社は、各種イオン注入装置用のグラファイト遮蔽カバーを提供するだけでなく、高純度グラファイト電極や耐食性に優れた各種仕様のイオン源も提供可能です。対応機種：Eaton、Azcelis、Quatum、Varian、Nissin、AMAT、LAMなどの装置。さらに、セラミック、タングステン、モリブデン、アルミニウム製品、コーティング部品なども併せてご提供いたします。