シリコンエピタキシャル成長（Si Epi）用CVD SiCコーティング部品
シングルウェハおよびバッチ式シリコンエピタキシャル成膜システム向けに精密設計された当社のCVD SiCコーティングサセプター、サテライトディスク、および熱場コンポーネントは、優れた熱均一性とゼロアウトガスを実現します。高密度立方晶β-SiCコーティング層が高純度グラファイト基板を完全に覆い、反応性ガスエッチング（SiH₄、SiH₂Cl₂、HCl）を防ぎ、高温Siエピプロセス（1000℃～1200℃）中の超低金属不純物レベル（< 5 ppm）を保証します。
熱場の均一性
放射率を制御することで、ウェーハの端から中心まで、膜厚の均一性を正確に確保します。
塩酸エッチング耐性
チャンバー内洗浄剤や熱衝撃に対する強力な保護性能を提供します。
OEMシステム互換性
主流の200mm/300mmシングルウェハーエピタキシャル成長装置（Applied Materials、ASM）に適合するように、精密CNC加工されています。
| 技術パラメータ | 仕様値 | 規格／試験方法 |
|---|---|---|
| コーティング材 | CVD β-SiC（立方晶相） | 高密度結晶構造 |
| 基材 | 超高純度等方性グラファイト | 密度：1.82～1.88 g/cm³ |
| 化学的純度 | 総不純物量 < 5 ppm | GDMSテスト済み |
| コーティングの厚さ | 80μm～150μm | 均一性 ≤ ±5% |
