ニュース

SiC集積回路の研究状況
22-08-23 管理者による
高電圧、高電力、高周波、高温特性を追求するS1Cディスクリートデバイスとは異なり、SiC集積回路の研究目標は、主にインテリジェントパワーIC制御回路用の高温デジタル回路を実現することです。SiC集積回路は…
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高温環境におけるSiCデバイスの応用
22-08-23 管理者による
航空宇宙および自動車機器では、航空機エンジン、自動車エンジン、太陽近傍ミッションの宇宙船、人工衛星の高温機器など、電子機器が高温環境で動作することがよくあります。これらのデバイスは高温では動作しないため、通常のSiまたはGaAsデバイスを使用してください。
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第三世代半導体表面-SiC（シリコンカーバイド）デバイスとその応用
22-08-23 管理者による
新しいタイプの半導体材料であるSiCは、その優れた物理的特性と熱安定性により、短波長光電子デバイス、高温デバイス、耐放射線デバイス、高出力/高出力電子デバイスの製造に最も重要な半導体材料となっています。
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炭化ケイ素の使用
22-08-23 管理者による
炭化ケイ素は、金鋼砂、耐火砂とも呼ばれます。炭化ケイ素は、石英砂、石油コークス（または石炭コークス）、木材チップ（グリーン炭化ケイ素の製造には塩を加える必要があります）などの原料を抵抗炉で高温精錬することで製造されます。現在…
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水素エネルギーと燃料電池の紹介
22-08-23 管理者による
燃料電池は、電解質の特性と使用燃料に応じて、固体高分子形燃料電池（PEMFC）、直接メタノール形燃料電池（DMFC）、リン酸形燃料電池（PAFC）、溶融炭酸塩形燃料電池（MCFC）、固体酸化物形燃料電池（SOFC）、アルカリ形燃料電池（AFC）などに分類されます。
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SiC/SiCの応用分野
22-08-23 管理者による
SiC/SiCは優れた耐熱性を有し、航空エンジン用途において超合金の代替となることが期待されています。高推力重量比は、先進航空エンジンの目標です。しかし、推力重量比の向上に伴い、タービン入口温度は上昇し続け、既存の超合金材料では対応しきれないという問題があります。
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シリコンカーバイド繊維の核となる利点
22-08-23 管理者による
シリコンカーバイド繊維とカーボンファイバーはどちらも高強度・高弾性率のセラミック繊維です。カーボンファイバーと比較して、シリコンカーバイド繊維コアには以下の利点があります。1. 高温酸化防止性能高温の空気中または好気環境下において、シリコンカーバイドは…
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炭化ケイ素半導体材料
22-08-01 に admin より
シリコンカーバイド（SiC）半導体材料は、開発されているワイドバンドギャップ半導体の中で最も成熟した材料です。SiC半導体材料は、その広いバンドギャップにより、高温、高周波、高出力、光電子工学、耐放射線デバイスなど、幅広い応用分野に期待されています。
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シリコンカーバイド材料とその特徴
22-08-01 に admin より
半導体デバイスは現代の産業機械設備の中核であり、コンピューター、民生用電子機器、ネットワーク通信、自動車用電子機器、その他の中核分野で広く使用されています。半導体業界は主に、集積回路、オプトエレクトロニクス、トランジスタ、光電変換素子の 4 つの基本コンポーネントで構成されています。
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