ಇಂಗಾಲ / ಇಂಗಾಲದ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು(ಇನ್ನು ಮುಂದೆ "" ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗಿದೆ.C / C ಅಥವಾ CFC") ಇಂಗಾಲವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಮತ್ತು ಅದರ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಂದ (ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ ಪ್ರಿಫಾರ್ಮ್) ಬಲಪಡಿಸಲಾದ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಸಂಯೋಜಿತ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಇದು ಇಂಗಾಲದ ಜಡತ್ವ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಬನ್ ಫೈಬರ್ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಎರಡನ್ನೂ ಹೊಂದಿದೆ. ಇದು ಉತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ಶಾಖ ನಿರೋಧಕತೆ, ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ, ಘರ್ಷಣೆ ಡ್ಯಾಂಪಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ಸಿವಿಡಿ-ಎಸ್ಐಸಿಲೇಪನವು ಏಕರೂಪದ ರಚನೆ, ಸಾಂದ್ರ ವಸ್ತು, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ನಿರೋಧಕತೆ, ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ನಿರೋಧಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಆಮ್ಲ ಮತ್ತು ಕ್ಷಾರ ನಿರೋಧಕತೆ ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಸ್ಥಿರವಾದ ಭೌತಿಕ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು:
1. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ:ತಾಪಮಾನವು 1600 C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗಲೂ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
3. ಸವೆತ ನಿರೋಧಕತೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಸಾಂದ್ರ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.
4. ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.
| ಸಿವಿಡಿ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ಯ ಮೂಲ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳುಲೇಪನ | |
| 性质 / ಆಸ್ತಿ | 典型数值 / ವಿಶಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯ |
| 晶体结构 / ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | FCC β ಹಂತ 多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / ಸಾಂದ್ರತೆ | 3.21 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³ |
| 硬度 / ಗಡಸುತನ | 2500 维氏硬度 (500g ಲೋಡ್) |
| 晶粒大小 / ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ | 2~10μm |
| 纯度 / ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ | 99.99995% |
| 热容 / ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | 640 ಜೆ·ಕೆಜಿ-1·ಕೆ-1 |
| 升华温度 / ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ | 2700℃ ತಾಪಮಾನ |
| 抗弯强度 / ಫ್ಲೆಕ್ಸುರಲ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ | 415 MPa RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್ |
| 杨氏模量 / ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ | 430 Gpa 4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃ |
| 导热系数 / ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ | 300W·ಮೀ-1·ಕೆ-1 |
| 热膨胀系数 / ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ(CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
VET ಎನರ್ಜಿ ಎಂಬುದು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ನಿಜವಾದ ತಯಾರಕರಾಗಿದ್ದು, SiC ಲೇಪನ, TaC ಲೇಪನ, ಗಾಜಿನ ಕಾರ್ಬನ್ ಲೇಪನ, ಪೈರೋಲಿಟಿಕ್ ಕಾರ್ಬನ್ ಲೇಪನ ಮುಂತಾದ ವಿಭಿನ್ನ ಲೇಪನಗಳೊಂದಿಗೆ, ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಉದ್ಯಮಕ್ಕೆ ವಿವಿಧ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಭಾಗಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಬಹುದು.
ನಮ್ಮ ತಾಂತ್ರಿಕ ತಂಡವು ಉನ್ನತ ದೇಶೀಯ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಂಸ್ಥೆಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ, ನಿಮಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು ವೃತ್ತಿಪರ ವಸ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು.
ಹೆಚ್ಚು ಮುಂದುವರಿದ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ನಾವು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಮುಂದುವರಿದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಲೇಪನ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ನಡುವಿನ ಬಂಧವನ್ನು ಬಿಗಿಗೊಳಿಸುವ ಮತ್ತು ಬೇರ್ಪಡುವಿಕೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ವಿಶೇಷ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ್ದೇವೆ.
ನಮ್ಮ ಕಾರ್ಖಾನೆಗೆ ಭೇಟಿ ನೀಡಲು ನಿಮ್ಮನ್ನು ಹೃತ್ಪೂರ್ವಕವಾಗಿ ಸ್ವಾಗತಿಸುತ್ತೇವೆ, ಮತ್ತಷ್ಟು ಚರ್ಚೆ ನಡೆಸೋಣ!
