സിലിക്കൺ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള GaN എപ്പിറ്റാക്സി

ഉൽപ്പന്ന വിവരണം

ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ സിവിഡി രീതി ഉപയോഗിച്ച് SiC കോട്ടിംഗ് പ്രോസസ്സ് സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നു, അതുവഴി കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയുള്ള SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ചിരിക്കുന്ന തന്മാത്രകൾ, SIC സംരക്ഷണ പാളി രൂപപ്പെടുത്തുന്നു.

പ്രധാന സവിശേഷതകൾ:

1. ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം:

താപനില 1600 C വരെ ഉയരുമ്പോൾ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം ഇപ്പോഴും വളരെ മികച്ചതാണ്.

2. ഉയർന്ന ശുദ്ധി: ഉയർന്ന താപനിലയിലുള്ള ക്ലോറിനേഷൻ അവസ്ഥയിൽ രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം വഴി നിർമ്മിക്കുന്നത്.

3. മണ്ണൊലിപ്പ് പ്രതിരോധം: ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള പ്രതലം, സൂക്ഷ്മ കണികകൾ.

4. നാശന പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാക്ടറുകൾ.

CVD-SIC കോട്ടിംഗിന്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ