GaN Epitaxy yochokera ku Silicon

Chithunzi Chodziwika cha GaN Epitaxy chochokera ku Silicon

Kufotokozera Kwachidule:

Malo Ochokera:China

Kapangidwe ka Crystal:FCCβphase

Kuchulukana:3.21 g/cm

Kuuma:2500 Vickers

Kukula kwa Tirigu:2 ~ 10μm

Kuyera kwa Mankhwala:99.99995%

Kutha Kutentha:640J·kg-1·K-1

Kutentha kwa Sublimation:2700℃

Mphamvu ya Feleksiyumu:415 Mpa (RT 4-Point)

Modulus ya Young:430 Gpa (kupindika kwa 4pt, 1300℃)

Kukula kwa Kutentha (CTE):4.5 10-6K-1

Kutentha kwa ma conductivity:300 (W/mK)

Tumizani imelo kwa ife Tsitsani ngati PDF

Tsatanetsatane wa Zamalonda

Ma tag a Zamalonda

Mafotokozedwe Akatundu

Kampani yathu imapereka ntchito zophikira za SiC pogwiritsa ntchito njira ya CVD pamwamba pa graphite, ceramics ndi zinthu zina, kuti mpweya wapadera wokhala ndi kaboni ndi silicon ugwire ntchito kutentha kwambiri kuti upeze mamolekyulu a SiC oyera kwambiri, mamolekyulu omwe amaikidwa pamwamba pa zinthu zophimbidwa, ndikupanga gawo loteteza la SIC.

Zinthu zazikulu:

1. Kukana kutentha kwambiri kwa okosijeni:

Kukana kwa okosijeni kumakhala bwino kwambiri pamene kutentha kuli pamwamba pa 1600 C.

2. Kuyera kwambiri: kumapangidwa ndi nthunzi ya mankhwala pansi pa kutentha kwambiri kwa chlorination.

3. Kukana kukokoloka kwa nthaka: kuuma kwambiri, pamwamba pang'ono, tinthu tating'onoting'ono.

4. Kukana dzimbiri: asidi, alkali, mchere ndi zinthu zachilengedwe.

Mafotokozedwe Aakulu a Kuphimba kwa CVD-SIC

Katundu wa SiC-CVD
Kapangidwe ka Crystal	Gawo la FCC β
Kuchulukana	g/cm³	3.21
Kuuma	Kuuma kwa Vickers	2500
Kukula kwa Tirigu	μm	2~10
Kuyera kwa Mankhwala	%	99.99995
Kutha Kutentha	J·kg-1 ·K-1	640
Kutentha kwa Sublimation	℃	2700
Mphamvu ya Feleksiyumu	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (kupindika kwa 4pt, 1300℃)	430
Kukula kwa Kutentha (CTE)	10-6K-1	4.5
Kutentha kwa matenthedwe	(W/mK)	300