Продукциянын сүрөттөлүшү
Биздин компания графит, керамика жана башка материалдардын бетинде CVD ыкмасы менен SiC каптоо процессин көрсөтөт, ошондуктан көмүртек жана кремнийди камтыган атайын газдар жогорку температурада реакцияга кирип, жогорку тазалыктагы SiC молекулаларын, башкача айтканда, капталган материалдардын бетине чөккөн молекулаларды, SIC коргоочу катмарын түзөт.
Негизги өзгөчөлүктөрү:
1. Жогорку температурадагы кычкылданууга туруктуулук:
кычкылданууга туруктуулук температура 1600°Cге чейин жеткенде дагы эле абдан жакшы.
2. Жогорку тазалык: жогорку температурада хлордоо шартында химиялык буу менен чөктүрүү жолу менен жасалган.
3. Эрозияга туруктуулук: жогорку катуулук, тыгыз бет, майда бөлүкчөлөр.
4. Коррозияга туруктуулук: кислота, щелоч, туз жана органикалык реагенттер.
CVD-SIC каптоосунун негизги мүнөздөмөлөрү
| SiC-CVD касиеттери | ||
| Кристаллдык түзүлүш | FCC β фазасы | |
| Тыгыздык | г/см³ | 3.21 |
| Катуулугу | Виккерстин катуулугу | 2500 |
| Дандын өлчөмү | мкм | 2~10 |
| Химиялык тазалык | % | 99.99995 |
| Жылуулук сыйымдуулугу | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексуралдык күч | МПа (RT 4-пункт) | 415 |
| Янгдын модулу | Gpa (4pt ийилүү, 1300℃) | 430 |
| Жылуулук кеңейүүсү (ЖКК) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Жылуулук өткөрүмдүүлүгү | (Вт/мК) | 300 |
-
Ванадий электролити REDOX ванадий агымы боюнча заказ боюнча...
-
Сатуу үчүн эритүү үчүн ылайыкташтырылган графит тигельдери ...
-
Busch вакуумдук насостору үчүн көмүртек графитинин канаты
-
Pemfc Stack 25v суутек отун клеткасы 2000w батарейка...
-
10 кВт-40 кВт/саат ванадий агымдуу батарея өндүрүүчүсү V...
-
Заводдук камсыздоо кеңейтилүүчү ийкемдүү синтетикалык үй ...