बातम्या

सिलिकॉन कार्बाइड स्फटिक वाढ भट्टीच्या तांत्रिक अडचणी कोणत्या आहेत?
प्रशासकाद्वारे २४-०६-०७ रोजी
स्फटिक वाढ भट्टी हे सिलिकॉन कार्बाइड स्फटिक वाढीसाठीचे मुख्य उपकरण आहे. ती पारंपरिक स्फटिक सिलिकॉन ग्रेड स्फटिक वाढ भट्टीसारखीच असते. भट्टीची रचना फारशी गुंतागुंतीची नसते. ती प्रामुख्याने भट्टीचा मुख्य भाग, तापन प्रणाली, कॉइल पारेषण यंत्रणा इत्यादींनी बनलेली असते.
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल थराचे दोष कोणते आहेत?
प्रशासकाद्वारे २४-०६-०५ रोजी
एसआयसी (SiC) एपिटॅक्सियल सामग्रीच्या वाढीसाठीचे मुख्य तंत्रज्ञान म्हणजे सर्वप्रथम दोष नियंत्रण तंत्रज्ञान, विशेषतः अशा दोष नियंत्रण तंत्रज्ञानासाठी जे उपकरणाच्या बिघाडास किंवा विश्वसनीयता घसरणीस कारणीभूत ठरते. सबस्ट्रेटमधील दोष एपिटॅक्सियल थरांमध्ये कसे पसरतात याच्या यंत्रणेचा अभ्यास...
अधिक वाचा
ऑक्सिडाइज्ड स्टँडिंग ग्रेन आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञान-२
प्रशासकाद्वारे २४-०५-३० रोजी
२. एपिटॅक्सियल पातळ फिल्मची वाढ: सबस्ट्रेट हे Ga2O3 पॉवर डिव्हाइसेससाठी एक भौतिक आधार थर किंवा प्रवाहकीय थर प्रदान करते. पुढचा महत्त्वाचा थर म्हणजे चॅनल थर किंवा एपिटॅक्सियल थर, जो व्होल्टेज प्रतिरोध आणि वाहक वहनासाठी वापरला जातो. ब्रेकडाउन व्होल्टेज वाढवण्यासाठी आणि...
अधिक वाचा
गॅलियम ऑक्साईड एकल स्फटिक आणि एपिटॅक्सियल वाढ तंत्रज्ञान
प्रशासकाद्वारे २४-०५-३० रोजी
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि गॅलियम नायट्राइड (GaN) द्वारे दर्शविलेल्या वाइड बँडगॅप (WBG) सेमीकंडक्टर्सना व्यापक प्रसिद्धी मिळाली आहे. इलेक्ट्रिक वाहने आणि पॉवर ग्रिडमध्ये सिलिकॉन कार्बाइडच्या, तसेच गॅलियमच्या उपयोजन क्षमतेबद्दल लोकांना मोठ्या अपेक्षा आहेत...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइडच्या मार्गातील तांत्रिक अडथळे कोणते आहेत? II
प्रशासकाद्वारे २४-०५-२२ रोजी
स्थिर कार्यक्षमतेसह उच्च-गुणवत्तेच्या सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्सचे मोठ्या प्रमाणावर स्थिरपणे उत्पादन करण्यामधील तांत्रिक अडचणींमध्ये खालील बाबींचा समावेश आहे: १) स्फटिकांना २०००°C पेक्षा जास्त तापमानाच्या बंदिस्त वातावरणात वाढवावे लागत असल्यामुळे, तापमान नियंत्रणाच्या आवश्यकता अत्यंत उच्च असतात; २) सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइडच्या मार्गातील तांत्रिक अडथळे कोणते आहेत?
प्रशासकाद्वारे २४-०५-२२ रोजी
सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या पहिल्या पिढीमध्ये पारंपरिक सिलिकॉन (Si) आणि जर्मेनियम (Ge) यांचा समावेश होतो, जे इंटिग्रेटेड सर्किट निर्मितीचा आधार आहेत. त्यांचा वापर कमी-व्होल्टेज, कमी-फ्रिक्वेन्सी आणि कमी-शक्तीच्या ट्रान्झिस्टर आणि डिटेक्टरमध्ये मोठ्या प्रमाणावर केला जातो. ९०% पेक्षा जास्त सेमीकंडक्टर उत्पादने...
अधिक वाचा
एसआयसी मायक्रो पावडर कशी बनवली जाते?
प्रशासकाद्वारे २४-०५-१३ रोजी
SiC एकल स्फटिक हा गट IV-IV मधील एक संयुक्त अर्धसंवाहक पदार्थ आहे, जो Si आणि C या दोन मूलद्रव्यांपासून १:१ च्या स्टॉइकिओमेट्रिक गुणोत्तरात बनलेला असतो. त्याची कठीणता केवळ हिऱ्यापेक्षा कमी आहे. SiC तयार करण्याची सिलिकॉन ऑक्साईडची कार्बन क्षपण पद्धत मुख्यत्वे खालील रासायनिक अभिक्रिया सूत्रावर आधारित आहे...
अधिक वाचा
एपिटॅक्सियल थर सेमीकंडक्टर उपकरणांना कशी मदत करतात?
प्रशासकाद्वारे २४-०५-१३ रोजी
एपिटॅक्सियल वेफर या नावाचा उगम. सर्वप्रथम, आपण एक छोटी संकल्पना समजून घेऊया: वेफर तयार करण्यामध्ये दोन प्रमुख टप्पे समाविष्ट आहेत: सबस्ट्रेट तयार करणे आणि एपिटॅक्सियल प्रक्रिया. सबस्ट्रेट म्हणजे सेमीकंडक्टर सिंगल क्रिस्टल मटेरियलपासून बनवलेली वेफर. सबस्ट्रेट थेट वेफर उत्पादनामध्ये प्रवेश करू शकते...
अधिक वाचा
रासायनिक बाष्प निक्षेपण (CVD) पातळ थर निक्षेपण तंत्रज्ञानाचा परिचय
प्रशासकाद्वारे २४-०५-०६ रोजी
केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) हे एक महत्त्वाचे थिन फिल्म डिपॉझिशन तंत्रज्ञान आहे, जे अनेकदा विविध कार्यात्मक फिल्म्स आणि पातळ-थर सामग्री तयार करण्यासाठी वापरले जाते आणि सेमीकंडक्टर उत्पादन व इतर क्षेत्रांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते. १. CVD चे कार्यतत्त्व CVD प्रक्रियेमध्ये, एक वायू पूर्वगामी (एक किंवा...
अधिक वाचा