बातम्या

उच्च-शुद्धता SiC एकल क्रिस्टल पावडर संश्लेषण प्रक्रिया
प्रशासकाद्वारे २४-०८-०८ रोजी
सिलिकॉन कार्बाइडच्या एकल स्फटिक वाढ प्रक्रियेमध्ये, भौतिक बाष्प परिवहन (Physical Vapor Transport) ही सध्याची मुख्य औद्योगिक पद्धत आहे. PVT वाढ पद्धतीसाठी, सिलिकॉन कार्बाइड पावडरचा वाढ प्रक्रियेवर मोठा प्रभाव पडतो. सिलिकॉन कार्बाइड पावडरचे सर्व मापदंड...
अधिक वाचा
वेफरच्या बॉक्समध्ये २५ वेफर्स का असतात?
प्रशासकाद्वारे २४-०७-३० रोजी
आधुनिक तंत्रज्ञानाच्या प्रगत जगात, वेफर्स, ज्यांना सिलिकॉन वेफर्स असेही म्हणतात, हे सेमीकंडक्टर उद्योगाचे मुख्य घटक आहेत. मायक्रोप्रोसेसर, मेमरी, सेन्सर्स इत्यादींसारख्या विविध इलेक्ट्रॉनिक घटकांच्या निर्मितीचा ते आधार आहेत आणि प्रत्येक वेफर...
अधिक वाचा
वाष्प प्रावस्था एपिटॅक्सीसाठी सामान्यतः वापरले जाणारे पेडस्टल
प्रशासकाद्वारे २४-०७-३० रोजी
वाष्प प्रावस्था एपिटॅक्सी (VPE) प्रक्रियेदरम्यान, सबस्ट्रेटला आधार देणे आणि वाढ प्रक्रियेदरम्यान एकसमान उष्णता सुनिश्चित करणे ही पेडस्टलची भूमिका असते. वेगवेगळ्या वाढीच्या परिस्थिती आणि मटेरियल सिस्टीमसाठी विविध प्रकारचे पेडस्टल योग्य असतात. खाली काही...
अधिक वाचा
टँटलम कार्बाइड लेपित उत्पादनांचे सेवा आयुष्य कसे वाढवावे?
प्रशासकाद्वारे २४-०७-२६ रोजी
टँटॅलम कार्बाइड लेपित उत्पादने ही एक सामान्यपणे वापरली जाणारी उच्च-तापमान सामग्री आहे, जी उच्च तापमान प्रतिरोध, क्षरण प्रतिरोध, झीज प्रतिरोध इत्यादी वैशिष्ट्यांनी युक्त आहे. त्यामुळे, त्यांचा वापर एरोस्पेस, रसायन आणि ऊर्जा यांसारख्या उद्योगांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर केला जातो. अधिक स्पष्ट करण्यासाठी...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर सीव्हीडी उपकरणांमध्ये पीईसीव्हीडी आणि एलपीसीव्हीडी मध्ये काय फरक आहे?
प्रशासकाद्वारे २४-०७-२४ रोजी
रासायनिक बाष्प निक्षेपण (CVD) म्हणजे वायू मिश्रणाच्या रासायनिक अभिक्रियेद्वारे सिलिकॉन वेफरच्या पृष्ठभागावर एक घन थर जमा करण्याची प्रक्रिया होय. वेगवेगळ्या अभिक्रियेच्या परिस्थितीनुसार (दाब, पूर्वगामी), याचे विविध उपकरणांमध्ये वर्गीकरण केले जाऊ शकते...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड ग्रॅफाइट मोल्डची वैशिष्ट्ये
प्रशासकाद्वारे २४-०७-१८ रोजी
सिलिकॉन कार्बाइड ग्रॅफाइट मोल्ड हा एक संमिश्र साचा आहे, ज्यामध्ये सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हा आधारभूत घटक आणि ग्रॅफाइट हे मजबुतीकरण साहित्य म्हणून वापरले जाते. या साच्यामध्ये उत्कृष्ट औष्णिक वाहकता, उच्च तापमान प्रतिरोध, गंजरोधकता आणि...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर प्रक्रिया फोटोलिथोग्राफीची संपूर्ण प्रक्रिया
प्रशासकाद्वारे २४-०७-१६ रोजी
प्रत्येक सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या निर्मितीसाठी शेकडो प्रक्रियांची आवश्यकता असते. आम्ही संपूर्ण उत्पादन प्रक्रियेला आठ टप्प्यांमध्ये विभागले आहे: वेफर प्रोसेसिंग-ऑक्सिडेशन-फोटोलिथोग्राफी-एचिंग-थिन फिल्म डिपॉझिशन-एपिटॅक्सियल ग्रोथ-डिफ्यूजन-आयन इम्प्लांटेशन. तुम्हाला मदत करण्यासाठी...
अधिक वाचा
४ अब्ज! एसके हायनिक्सने पर्ड्यू रिसर्च पार्कमध्ये सेमीकंडक्टर ॲडव्हान्स्ड पॅकेजिंग गुंतवणुकीची घोषणा केली.
प्रशासकाद्वारे २४-०७-०९ रोजी
वेस्ट लाफायेट, इंडियाना – एसके हायनिक्स इंक. ने पर्ड्यू रिसर्च पार्कमध्ये कृत्रिम बुद्धिमत्ता उत्पादनांसाठी एक प्रगत पॅकेजिंग उत्पादन आणि संशोधन व विकास (R&D) सुविधा उभारण्यासाठी जवळपास ४ अब्ज डॉलर्सची गुंतवणूक करण्याची योजना जाहीर केली आहे. वेस्ट लाफायेटमध्ये अमेरिकेच्या सेमीकंडक्टर पुरवठा साखळीतील एक महत्त्वाचा दुवा प्रस्थापित करत...
अधिक वाचा
लेझर तंत्रज्ञान सिलिकॉन कार्बाइड सबस्ट्रेट प्रक्रिया तंत्रज्ञानाच्या परिवर्तनाचे नेतृत्व करते.
प्रशासकाद्वारे २४-०७-०८ रोजी
१. सिलिकॉन कार्बाइड सबस्ट्रेट प्रक्रिया तंत्रज्ञानाचा आढावा. सध्याच्या सिलिकॉन कार्बाइड सबस्ट्रेट प्रक्रियेच्या टप्प्यांमध्ये यांचा समावेश होतो: बाह्य वर्तुळ घासणे, स्लाइसिंग, चॅम्फरिंग, ग्राइंडिंग, पॉलिशिंग, साफसफाई, इत्यादी. सेमीकंडक्टर सबस्ट्रेट प्रक्रियेमध्ये स्लाइसिंग हा एक महत्त्वाचा टप्पा आहे...
अधिक वाचा