बातम्या

सिलिकॉन इतके कठीण पण इतके ठिसूळ का आहे?
२४-१२-१० रोजी प्रशासकाद्वारे
सिलिकॉन हे एक अणु क्रिस्टल आहे, ज्याचे अणू सहसंयोजक बंधांनी एकमेकांशी जोडलेले असतात, ज्यामुळे एक अवकाशीय नेटवर्क रचना तयार होते. या रचनेत, अणूंमधील सहसंयोजक बंध खूप दिशात्मक असतात आणि उच्च बंध ऊर्जा असते, ज्यामुळे सिलिकॉन बाह्य शक्तींना प्रतिकार करताना उच्च कडकपणा दर्शवितो...
अधिक वाचा
कोरड्या खोदकामाच्या वेळी बाजूच्या भिंती का वाकतात?
२४-१२-०३ रोजी प्रशासकाद्वारे
आयन बॉम्बर्डमेंटची एकसमानता नसणे ड्राय एचिंग ही सहसा भौतिक आणि रासायनिक प्रभावांना एकत्र करणारी प्रक्रिया असते, ज्यामध्ये आयन बॉम्बर्डमेंट ही एक महत्त्वाची भौतिक एचिंग पद्धत आहे. एचिंग प्रक्रियेदरम्यान, आयनांचा आपत्कालीन कोन आणि ऊर्जा वितरण असमान असू शकते. जर आयन घडला तर...
अधिक वाचा
तीन सामान्य सीव्हीडी तंत्रज्ञानाचा परिचय
२४-१२-०३ रोजी प्रशासकाद्वारे
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) हे अर्धसंवाहक उद्योगात विविध प्रकारचे साहित्य जमा करण्यासाठी सर्वात जास्त वापरले जाणारे तंत्रज्ञान आहे, ज्यामध्ये विस्तृत श्रेणीतील इन्सुलेटिंग साहित्य, बहुतेक धातू साहित्य आणि धातू मिश्र धातु साहित्य यांचा समावेश आहे. CVD ही एक पारंपारिक पातळ फिल्म तयार करण्याची तंत्रज्ञान आहे. त्याचे तत्व...
अधिक वाचा
हिरा इतर उच्च-शक्तीच्या अर्धवाहक उपकरणांची जागा घेऊ शकतो का?
२४-११-२५ रोजी प्रशासकाद्वारे
आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांचा आधारस्तंभ म्हणून, अर्धवाहक पदार्थांमध्ये अभूतपूर्व बदल होत आहेत. आज, हिरा हळूहळू चौथ्या पिढीतील अर्धवाहक पदार्थ म्हणून त्याची उत्तम क्षमता दाखवत आहे, त्याच्या उत्कृष्ट विद्युत आणि थर्मल गुणधर्मांसह आणि अत्यंत परिस्थितीत स्थिरता...
अधिक वाचा
सीएमपीची प्लॅनरायझेशन यंत्रणा काय आहे?
२४-११-२५ रोजी प्रशासकाद्वारे
ड्युअल-डॅमॅसिन ही एकात्मिक सर्किटमध्ये धातूचे इंटरकनेक्ट तयार करण्यासाठी वापरली जाणारी एक प्रक्रिया तंत्रज्ञान आहे. ही दमास्कस प्रक्रियेचा पुढील विकास आहे. एकाच प्रक्रियेच्या टप्प्यात एकाच वेळी छिद्रे आणि खोबणी तयार करून आणि त्यांना धातूने भरून, एम... चे एकात्मिक उत्पादन.
अधिक वाचा
TaC कोटिंगसह ग्रेफाइट
२४-११-२१ रोजी प्रशासकाद्वारे
I. प्रक्रिया पॅरामीटर एक्सप्लोरेशन 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar सिस्टम 2. निक्षेपण तापमान: थर्मोडायनामिक सूत्रानुसार, जेव्हा तापमान 1273K पेक्षा जास्त असते तेव्हा अभिक्रियेची गिब्स मुक्त ऊर्जा खूप कमी असते आणि अभिक्रिया तुलनेने पूर्ण होते असे मोजले जाते. रिअ...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वाढ प्रक्रिया आणि उपकरणे तंत्रज्ञान
२४-११-२१ रोजी प्रशासकाद्वारे
१. SiC क्रिस्टल ग्रोथ टेक्नॉलॉजी रूट PVT (सब्लिमेशन मेथड), HTCVD (उच्च तापमान CVD), LPE (लिक्विड फेज मेथड) या तीन सामान्य SiC क्रिस्टल ग्रोथ पद्धती आहेत; उद्योगातील सर्वात मान्यताप्राप्त पद्धत म्हणजे PVT पद्धत आणि ९५% पेक्षा जास्त SiC सिंगल क्रिस्टल्स PVT द्वारे वाढवले जातात...
अधिक वाचा
सच्छिद्र सिलिकॉन कार्बन संमिश्र पदार्थांची तयारी आणि कामगिरी सुधारणा
२४-११-१३ रोजी प्रशासकाद्वारे
लिथियम-आयन बॅटरी प्रामुख्याने उच्च ऊर्जा घनतेच्या दिशेने विकसित होत आहेत. खोलीच्या तपमानावर, सिलिकॉन-आधारित नकारात्मक इलेक्ट्रोड मटेरियल लिथियमसह मिश्रित करून लिथियम-समृद्ध उत्पादन Li3.75Si फेज तयार करतात, ज्याची विशिष्ट क्षमता 3572 mAh/g पर्यंत असते, जी सिद्धांतापेक्षा खूप जास्त आहे...
अधिक वाचा
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉनचे थर्मल ऑक्सिडेशन
२४-११-१३ रोजी प्रशासकाद्वारे
सिलिकॉनच्या पृष्ठभागावर सिलिकॉन डायऑक्साइड तयार होण्याला ऑक्सिडेशन म्हणतात आणि स्थिर आणि जोरदारपणे चिकटलेल्या सिलिकॉन डायऑक्साइडच्या निर्मितीमुळे सिलिकॉन इंटिग्रेटेड सर्किट प्लॅनर तंत्रज्ञानाचा जन्म झाला. जरी सिलिकॉन डायऑक्साइड थेट पृष्ठभागावर वाढवण्याचे अनेक मार्ग आहेत...
अधिक वाचा