कोरड्या खोदकामाच्या वेळी बाजूच्या भिंती का वाकतात?

आयन बॉम्बस्फोटाची एकसमानता

कोरडेकोरीवकामही सहसा भौतिक आणि रासायनिक परिणामांना एकत्रित करणारी प्रक्रिया असते, ज्यामध्ये आयन बॉम्बर्डमेंट ही एक महत्त्वाची भौतिक एचिंग पद्धत आहे. दरम्यानकोरीवकाम प्रक्रिया, आयनांचा आपाती कोन आणि ऊर्जा वितरण असमान असू शकते.

जर बाजूच्या भिंतीवरील वेगवेगळ्या स्थानांवर आयन आपत्कालीन कोन वेगळा असेल, तर बाजूच्या भिंतीवरील आयनांचा एचिंग प्रभाव देखील वेगळा असेल. मोठे आयन आपत्कालीन कोन असलेल्या भागात, बाजूच्या भिंतीवरील आयनांचा एचिंग प्रभाव अधिक मजबूत असतो, ज्यामुळे या भागातील बाजूची भिंत अधिक कोरली जाईल, ज्यामुळे बाजूची भिंत वाकेल. याव्यतिरिक्त, आयन ऊर्जेचे असमान वितरण देखील समान परिणाम निर्माण करेल. जास्त ऊर्जा असलेले आयन अधिक प्रभावीपणे पदार्थ काढून टाकू शकतात, परिणामी विसंगतता निर्माण होते.कोरीवकामवेगवेगळ्या स्थितीत बाजूच्या भिंतीचे अंश, ज्यामुळे बाजूची भिंत वाकते.

फोटोरेझिस्टचा प्रभाव

कोरड्या एचिंगमध्ये फोटोरेसिस्ट मास्कची भूमिका बजावते, जे एचिंग करण्याची आवश्यकता नसलेल्या भागांचे संरक्षण करते. तथापि, एचिंग प्रक्रियेदरम्यान प्लाझ्मा बॉम्बर्डमेंट आणि रासायनिक अभिक्रियांमुळे फोटोरेसिस्टवर देखील परिणाम होतो आणि त्याची कार्यक्षमता बदलू शकते.

जर फोटोरेसिस्टची जाडी असमान असेल, एचिंग प्रक्रियेदरम्यान वापराचा दर विसंगत असेल किंवा फोटोरेसिस्ट आणि सब्सट्रेटमधील चिकटपणा वेगवेगळ्या ठिकाणी वेगळा असेल, तर एचिंग प्रक्रियेदरम्यान बाजूच्या भिंतींचे असमान संरक्षण होऊ शकते. उदाहरणार्थ, पातळ फोटोरेसिस्ट किंवा कमकुवत चिकटपणा असलेल्या भागात अंतर्निहित सामग्री अधिक सहजपणे कोरली जाऊ शकते, ज्यामुळे बाजूच्या भिंती या ठिकाणी वाकतात.

सब्सट्रेट मटेरियल गुणधर्मांमधील फरक

एच्ड सब्सट्रेट मटेरियलमध्ये वेगवेगळे गुणधर्म असू शकतात, जसे की वेगवेगळ्या प्रदेशांमध्ये वेगवेगळे क्रिस्टल ओरिएंटेशन आणि डोपिंग सांद्रता. हे फरक एचिंग रेट आणि एचिंग निवडकतेवर परिणाम करतील.
उदाहरणार्थ, स्फटिकीय सिलिकॉनमध्ये, वेगवेगळ्या क्रिस्टल ओरिएंटेशनमध्ये सिलिकॉन अणूंची व्यवस्था वेगळी असते आणि त्यांची प्रतिक्रियाशीलता आणि एचिंग गॅससह एचिंग रेट देखील वेगळा असेल. एचिंग प्रक्रियेदरम्यान, भौतिक गुणधर्मांमधील फरकांमुळे होणारे वेगवेगळे एचिंग रेट वेगवेगळ्या ठिकाणी साइडवॉल्सची एचिंग खोली विसंगत बनवतील, ज्यामुळे शेवटी साइडवॉल वाकणे होईल.

उपकरणांशी संबंधित घटक

एचिंग उपकरणांची कार्यक्षमता आणि स्थिती देखील एचिंग परिणामांवर महत्त्वपूर्ण परिणाम करते. उदाहरणार्थ, प्रतिक्रिया कक्षातील असमान प्लाझ्मा वितरण आणि असमान इलेक्ट्रोड वेअर यासारख्या समस्यांमुळे एचिंग दरम्यान वेफर पृष्ठभागावर आयन घनता आणि ऊर्जा यासारख्या पॅरामीटर्सचे असमान वितरण होऊ शकते.

याव्यतिरिक्त, उपकरणांचे असमान तापमान नियंत्रण आणि वायू प्रवाहातील किंचित चढउतार देखील एचिंगच्या एकसमानतेवर परिणाम करू शकतात, ज्यामुळे बाजूच्या भिंती वाकतात.