SiC အလွှာပါသော ရှည်လျားသော ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း Silicon Carbide Wafer Cassette

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

VET Energy Silicon Carbide Wafer Cassette With SiC Coating သည် ကြာရှည်ခံပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နှင့် အပူတူညီမှု၊ မြင့်မားသောသန့်စင်မှု၊ တိုက်စားမှုခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့ကြောင့် wafer လုပ်ဆောင်ခြင်းအသုံးချမှုများအတွက် ပြီးပြည့်စုံသောဖြေရှင်းချက်ဖြစ်စေသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ PDF အဖြစ် ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန် တဂ်များ

ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပြန်လုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ဂုဏ်သတ္တိများ

ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပုံစံပြုလုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (R-SiC) သည် စိန်ပြီးလျှင် မာကျောမှုဒုတိယအဆင့်ရှိသော မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ၂၀၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်ခိုင်ခံ့မှု၊ ပြင်းထန်သောချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းကောင်းမွန်စွာခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်မှုစသည့် SiC ၏ အလွန်ကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများစွာကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

● စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။ ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပြုလုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာထက် ပိုမိုမြင့်မားသော ခိုင်ခံ့မှုနှင့် တောင့်တင်းမှု၊ မြင့်မားသော သက်ရောက်မှုခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အပူချိန်အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်တွင် ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး အခြေအနေအမျိုးမျိုးတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ချိန်ခွင်လျှာညှိမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည် ကောင်းမွန်သောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိပြီး ဆန့်ခြင်းနှင့် ကွေးခြင်းကြောင့် အလွယ်တကူပျက်စီးခြင်းမရှိသောကြောင့် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာတိုးတက်စေသည်။

● ချေးခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်း။ ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပြုလုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အမျိုးမျိုးသော ချေးခံနိုင်ရည်မြင့်မားပြီး ချေးခံနိုင်ရည်အမျိုးမျိုး၏ တိုက်စားမှုကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ကာ ၎င်း၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ကြာရှည်စွာ ထိန်းသိမ်းနိုင်ကာ ကပ်ငြိမှုအားကောင်းသောကြောင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ပိုမိုကြာရှည်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်ပြီး အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုအတိုင်းအတာတစ်ခုကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏အသုံးချမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။

● Sintering သည် ကျုံ့မသွားပါ။ Sintering လုပ်ငန်းစဉ်သည် ကျုံ့မသွားသောကြောင့်၊ ကျန်ရှိနေသောဖိအားများသည် ထုတ်ကုန်၏ ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် အက်ကွဲခြင်းကို မဖြစ်စေဘဲ၊ ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်များနှင့် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော အစိတ်အပိုင်းများကို ပြင်ဆင်နိုင်သည်။

重结晶碳化硅物理特性 ပြန်လည်ပုံဆောင်ခဲပြုလုပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ
性质 / အိမ်ခြံမြေ	典型数值 / ပုံမှန်တန်ဖိုး
使用温度/ အလုပ်လုပ်သည့် အပူချိန် (°C)	၁၆၀၀°C (အောက်ဆီဂျင်နှင့်အတူ)၊ ၁၇၀၀°C (လျှော့ချရေးပတ်ဝန်းကျင်)
SiC含量/ SiC ပါဝင်မှု	> ၉၉.၉၆%
自由Si含量/ အခမဲ့ Si အကြောင်းအရာ	< ၀.၁%
体积密度/အစုလိုက်သိပ်သည်းဆ	၂.၆၀-၂.၇၀ ဂရမ်/စင်တီမီတာ³
气孔率/ ထင်ရှားသော အပေါက်များ	< ၁၆%
抗压强度/ ဖိသိပ်အား	> ၆၀၀MPa
常温抗弯强度/အအေးခံကွေးညွှတ်နိုင်စွမ်း	၈၀-၉၀ MPa (၂၀°C)
高温抗弯强度အပူဖြင့်ကွေးညွှတ်နိုင်သောအစွမ်းသတ္တိ	၉၀-၁၀၀ MPa (၁၄၀၀°C)
热膨胀系数/ ၁၅၀၀°C တွင် အပူချဲ့ထွင်ခြင်း	၄.၇၀ ၁၀^-6/°C
导热系数/၁၂၀၀°C @ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း	၂၃W/m•K
杨氏模量/ အီလက်ထရွန်းနစ် မော်ဂျူးလပ်စ်	၂၄၀ GPa
抗热震性/ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်	အလွန်ကောင်းမွန်သည်

VET စွမ်းအင်သည် ထိုCVD အလွှာဖြင့် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်ကုန်များ၏ စစ်မှန်သောထုတ်လုပ်သူ၊ထောက်ပံ့နိုင်သည်အမျိုးမျိုးသောတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး ဓာတ်အားပေးစက်မှုလုပ်ငန်းအတွက် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများ။ Oကျွန်ုပ်တို့ရဲ့ နည်းပညာအဖွဲ့ဟာ ထိပ်တန်းပြည်တွင်း သုတေသနအဖွဲ့အစည်းတွေက လာကြပြီး ပိုမိုပရော်ဖက်ရှင်နယ် ပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်တွေကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။သင့်အတွက်။

ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော ပစ္စည်းများ ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်များကို အဆက်မပြတ် တီထွင်လျက်ရှိပါသည်။နှင့်အပေါ်ယံလွှာနှင့် အောက်ခံအလွှာကြား ချိတ်ဆက်မှုကို ပိုမိုတင်းကျပ်စေပြီး ကွဲအက်နိုင်ခြေ နည်းပါးစေမည့် သီးသန့် မူပိုင်ခွင့်တင်ထားသော နည်းပညာတစ်ခုကို ကျွန်ုပ်တို့ တီထွင်ထားပါသည်။

CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ၏ အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်ယံလွှာ
性质 / အိမ်ခြံမြေ	典型数值 / ပုံမှန်တန်ဖိုး
晶体结构 / ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ	FCC β အဆင့်多晶，主要为（111)取向
密度 / သိပ်သည်းဆ	၃.၂၁ ဂရမ်/စင်တီမီတာ³
硬度 / မာကျောမှု	2500维氏硬度 (500g load)
晶粒大小 / ဂျုံစေ့အရွယ်အစား	၂~၁၀ မိုက်ခရိုမီတာ
纯度 / ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်စင်မှု	၉၉.၉၉၉၉၅%
热内 / အပူစွမ်းရည်	၆၄၀ ဂျူလီဂရမ်^-1·K^-1
升华温度 / ဆပ်ဘလီးမင့် အပူချိန်	၂၇၀၀ ℃
抗弯强度 / ကွေးညွှတ်နိုင်စွမ်း	၄၁၅ MPa RT ၄-ပွိုင့်
杨氏模量 / ယန်းရဲ့ မော်ဂျူးလပ်စ်	၄၃၀ Gpa ၄pt ကွေး၊ ၁၃၀၀ ℃
导热系数 / သာမာလီလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	၃၀၀ ဝပ်·မီတာ^-1·K^-1
热膨胀系数 / အပူချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE)	၄.၅ × ၁၀^-6K^-1