SiC coated Graphite Carriers အတွက် Semiconductor SiC Coated Graphite Carriers

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

 


  • မူလနေရာ-Zhejiang၊ တရုတ် (ပြည်မ)
  • မော်ဒယ်နံပါတ်-လှေ ၃၀၀၄
  • ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု-SiC coated ဂရပ်ဖိုက်
  • Flexural strength-470 Mpa
  • အပူလျှပ်ကူးမှု-300 W/mK
  • အရည်အသွေး:ပြီးပြည့်စုံသော
  • လုပ်ဆောင်ချက်-CVD-SiC
  • လျှောက်လွှာတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း/Photovoltaic
  • သိပ်သည်းဆ:3.21 g/cc
  • အပူတိုးချဲ့ရေး:4 10-6/K
  • ပြာ <5ppm
  • နမူနာ:ရနိုင်သည်။
  • HS ကုဒ်-၆၉၀၃၁၀၀၀၀၀၀
  • ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

    ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

    ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

    CVD-SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် တူညီသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ကျစ်လစ်သောပစ္စည်း၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံမှု၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု၊ အက်ဆစ်နှင့် အယ်လ်ကာလီခုခံမှုနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ၊ တည်ငြိမ်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများပါရှိသည်။

    သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဂရပ်ဖိုက်သည် 400C တွင် oxidize စတင်သည်၊ ၎င်းသည် ဓာတ်တိုးမှုကြောင့် အမှုန့်များဆုံးရှုံးစေပြီး အရံပစ္စည်းများနှင့် ဖုန်စုပ်ခန်းများသို့ ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းစေကာ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်၏ အညစ်အကြေးများကို တိုးပွားစေသည်။

    သို့သော် SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို 1600 ဒီဂရီတွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး၊ ၎င်းကို ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်း၊ အထူးသဖြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။

    ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ CVD နည်းလမ်းဖြင့် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးသည်၊ ထို့ကြောင့် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါဝင်သော အထူးဓာတ်ငွေ့များသည် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။ဖွဲ့စည်းထားသော SIC သည် ဂရပ်ဖိုက်အခြေစိုက်စခန်းနှင့် ခိုင်မြဲစွာ ချိတ်ဆက်ထားပြီး ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံ အထူးဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ဂရပ်ဖိုက်၏မျက်နှာပြင်ကို ကျစ်လစ်သိပ်သည်းစေကာ Porosity-free၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ သံချေးတက်ခြင်းနှင့် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

    လျှောက်လွှာ

    ၂

    အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

    1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:

    အပူချိန် 1700 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

    2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု- မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။

    3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။

    4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။

    CVD-SIC Coatings ၏ အဓိက Specifications

    SiC-CVD

    သိပ်သည်းဆ

    (ဂရမ်/စီစီ)

    ၃.၂၁

    Flexural ခွန်အား

    (Mpa)

    ၄၇၀

    အပူတိုးချဲ့ရေး

    (၁၀-၆/ကျပ်)

    4

    အပူစီးကူးမှု

    (W/mK)

    ၃၀၀

    Supply နိုင်ခြင်း:

    တစ်လလျှင် 10000 Pieces/Pieces
    ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ပို့ဆောင်ခြင်း-
    ထုပ်ပိုးခြင်း- စံချိန်စံညွှန်းနှင့် ခိုင်မာသော ထုပ်ပိုးမှု
    Poly bag + Box + Carton + Pallet
    ဆိပ်ကမ်း-
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    ကြာမြင့်ချိန်:

    အရေအတွက် (အပိုင်းအစများ) ၁-၁၀၀၀ > 1000
    အီးအက်စ်တီ။အချိန်(ရက်) 15 ညှိနှိုင်းရန်

  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • WhatsApp အွန်လိုင်းစကားပြောခြင်း။