ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသောဂရပ်ဖိုက်ဒစ်ခ်သည် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အငွေ့စုပုံခြင်းနှင့် ပက်ဖြန်းခြင်းဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အကာအကွယ်အလွှာကို ပြင်ဆင်ရန်ဖြစ်သည်။ ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အကာအကွယ်အလွှာကို ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်နှင့် ခိုင်မြဲစွာ ချိတ်ဆက်နိုင်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံ၏ မျက်နှာပြင်ကို သိပ်သည်းပြီး အပေါက်များ ကင်းစင်စေကာ ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်အား အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်၊ အက်ဆစ်နှင့် အယ်ကာလီခံနိုင်ရည်၊ တိုက်စားမှုခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည် စသည်တို့ အပါအဝင် အထူးဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းသည်။ လက်ရှိတွင် Gan အလွှာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အကောင်းဆုံး အဓိကအစိတ်အပိုင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် အသစ်တီထွင်ထားသော wide band gap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏စက်ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဗို့အားမြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း၊ မြင့်မားသောပါဝါနှင့် ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းတို့၏ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ၎င်းတွင် မြန်ဆန်သောပြောင်းလဲမှုအမြန်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်တို့၏ အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းသည် ထုတ်ကုန်ပါဝါသုံးစွဲမှုကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးနိုင်ခြင်း၊ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး ထုတ်ကုန်ပမာဏကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်။ ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ အမျိုးသားကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုသည်။ အာကာသနှင့် စွမ်းအင်ယာဉ်များဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော RF နယ်ပယ်နှင့် စွမ်းအင်အသစ်ယာဉ်များနှင့် “အခြေခံအဆောက်အအုံအသစ်” များဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်သည် အရပ်ဘက်နှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာနယ်ပယ်နှစ်ခုလုံးတွင် ရှင်းလင်းပြတ်သားပြီး သိသာထင်ရှားသော ဈေးကွက်အလားအလာများရှိသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံသည် မကြာသေးမီက တီထွင်ထားသော wide band gap semiconductor ၏ အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံကို အဓိကအားဖြင့် မိုက်ခရိုဝေ့အီလက်ထရွန်းနစ်၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးပြုသည်။။ ၎င်းသည် wide band gap semiconductor လုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ ရှေ့ဆုံးတွင်ရှိပြီး ခေတ်မီပြီး အခြေခံ core key ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ Silicon carbide substrate ကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်- semi insulating နှင့် conductive။ ၎င်းတို့တွင် semi insulating silicon carbide substrate သည် resistivity မြင့်မားသည် (resistivity ≥ 105 Ω· cm)။ Heterogeneous gallium nitride epitaxial sheet နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော semi insulating substrate ကို RF devices များ၏ ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပြီး အထက်ဖော်ပြပါ မြင်ကွင်းများတွင် 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ အမျိုးသားကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ရေးလုပ်ငန်းတွင် အဓိကအသုံးပြုသည်။ နောက်တစ်ခုမှာ resistivity နိမ့်သော conductive silicon carbide substrate (resistivity range 15 ~ 30m Ω· cm) ဖြစ်သည်။ conductive silicon carbide substrate နှင့် silicon carbide တို့၏ homogeneous epitaxy ကို power devices များအတွက် ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ အဓိကအသုံးချ scenarios များမှာ လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ power systems များနှင့် အခြားနယ်ပယ်များဖြစ်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၂ ခုနှစ်၊ ဖေဖော်ဝါရီလ ၂၁ ရက်