ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କ୍ୟାରିଅର୍ ଟ୍ରେis a ଚାବିବିଭିନ୍ନ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ଉପାଦାନ।ଆମେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ କ୍ୟାରିଅର୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ଆମର ପେଟେଣ୍ଟ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରୁଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ପବିତ୍ରତା,ଭଲଆବରଣସମାନତାଏବଂ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସେବା ଜୀବନ, ଏବଂଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଗୁଣ।
VET ଶକ୍ତି ହେଉଛି ଏହିCVD ଆବରଣ ସହିତ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦର ପ୍ରକୃତ ନିର୍ମାତା,ଯୋଗାଇ ପାରିବବିଭିନ୍ନଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଏବଂ ଫଟୋଭୋଲ୍ଟାଇକ୍ ଶିଳ୍ପ ପାଇଁ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ପାର୍ଟସ୍। Oଆପଣଙ୍କର ବୈଷୟିକ ଦଳ ଶ୍ରେଷ୍ଠ ଘରୋଇ ଗବେଷଣା ପ୍ରତିଷ୍ଠାନରୁ ଆସିଛନ୍ତି, ଅଧିକ ବୃତ୍ତିଗତ ସାମଗ୍ରୀ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବେ।ତୁମ ପାଇଁ।
ଆମେ ଅଧିକ ଉନ୍ନତ ସାମଗ୍ରୀ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ନିରନ୍ତର ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିକଶିତ କରୁ,ଏବଂଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଉପରେ କାମ କରିଛି, ଯାହା ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନକୁ ଅଧିକ କଠିନ କରିପାରିବ ଏବଂ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା କମ୍ କରିପାରିବ।
Fଆମ ଉତ୍ପାଦର ଖାଦ୍ୟ:
1. 1700 ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ℃.
2. ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂତାପଜ ଏକରୂପତା
3. ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷରଣ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜୈବ ପ୍ରତିକାରକ।
୪. ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା, ସଂକୁଚିତ ପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା।
୫. ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ ଏବଂ ଅଧିକ ସ୍ଥାୟୀ
| ସିଭିଡି SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ର ମୌଳିକ ଭୌତିକ ଗୁଣଆବରଣ | |
| 性质 / ସମ୍ପତ୍ତି | 典型数值 / ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ |
| 晶体结构 / ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ | FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ多晶,主要为(111 )取向 |
| 密度 / ଘନତା | ୩.୨୧ ଗ୍ରାମ/ସେମି³ |
| 硬度 / କଠିନତା | 2500 维氏硬度( 500g ଭାର) |
| 晶粒大小 / ଶସ୍ୟ ସାଇଜ | ୨~୧୦μମି |
| 纯度 / ରାସାୟନିକ ବିଶୁଦ୍ଧତା | ୯୯.୯୯୯୯୫% |
| 热容 / ତାପ କ୍ଷମତା | ୬୪୦ ଜେକେଜି-1·କ-1 |
| 升华温度 / ଉତ୍ତପ୍ତକରଣ ତାପମାତ୍ରା | ୨୭୦୦ ℃ |
| 抗弯强度 / ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | ୪୧୫ MPa RT ୪-ପଏଣ୍ଟ |
| 杨氏模量 / ୟଙ୍ଗଙ୍କ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ | ୪୩୦ Gpa ୪pt ବେଣ୍ଡ, ୧୩୦୦℃ |
| 导热系数 / ଥର୍ମାମୁଁଚାଳିତତା | ୩୦୦ୱାଟ·ମି-1·କ-1 |
| 热膨胀系数 / ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE) | ୪.୫×୧୦-6K-1 |
ଆମ କାରଖାନା ପରିଦର୍ଶନ ପାଇଁ ଆପଣଙ୍କୁ ସ୍ୱାଗତ, ଆସନ୍ତୁ ଆହୁରି ଆଲୋଚନା କରିବା!
-
...ରେ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (TaC) ଆବରଣ ନିର୍ମାତା
-
ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବେସ୍ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା ସଲିଡ୍ CVD SiC ବଲ୍କ
-
ସିଲିକନ୍ ସିଲିଂ ପାଇଁ SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହାଫମୁନ୍ ପାର୍ଟ...
-
ୱାଫର୍ ପାଇଁ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବୃତ ସସେପ୍ଟର |
-
ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତାସମ୍ପନ୍ନ ଟାଣ୍ଟାଲମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବୃତ ଛିଦ୍ରଯୁକ୍ତ...
-
ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇଜ୍ ହୋଇଥିବା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର ଡଙ୍ଗା ... ସହିତ






