Korrosiounsbeständeg Siliziumkarbidbeschichtete Trägertablett

Kuerz Beschreiwung:

De VET Energy Siliziumkarbidbeschichtete Carrier Tray ass en héichperformant Produkt, dat entwéckelt gouf fir eng konsequent a zouverlässeg Leeschtung iwwer eng länger Zäit ze bidden. En huet eng super gutt Hëtztbeständegkeet an thermesch Uniformitéit, eng héich Rengheet an eng Erosiounsbeständegkeet, wat en zur perfekter Léisung fir Waferveraarbechtungsapplikatioune mécht.

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Siliziumkarbid-Tragträgeris a SchlësselKomponent, déi a verschiddene Prozesser vun der Halbleiterproduktioun benotzt gëtt.Mir benotzen eis patentéiert Technologie fir den Siliziumkarbidträger matextrem héich Rengheet,guttBeschichtungEenheetlechkeetan eng exzellent Liewensdauer, souwéihéich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéitseigenschaften.

VET Energie ass denrichtege Produzent vu personaliséierte Graphit- a Siliziumcarbidprodukter mat CVD-Beschichtung,kann liwwerenverschiddenPersonnaliséiert Deeler fir d'Hallefleeder- a Photovoltaikindustrie. OEis technesch Equipe kënnt aus den Top-Fuerschungsinstituter aus dem Inland a kann méi professionell Materialléisungen ubiddenfir dech.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze liwweren,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie entwéckelt, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofléisen maache kann.

FEegeschafte vun eise Produkter:

1. Héichtemperatur-Oxidatiounsbeständegkeet bis zu 1700℃.
2. Héich Rengheet anthermesch Uniformitéit
3. Excellent Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
4. Héich Härkeet, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
5. Méi laang Liewensdauer a méi haltbar

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis physikalesch Eegeschafte vu CVD SiCBeschichtung
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesche Wäert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向
密度 / Dicht	3,21 g/cm³
硬度 / Häert	2500 维氏硬度（500g Belaaschtung）
晶粒大小 / Kärengréisst	2~10μm
纯度 / Chemesch Rengheet	99,99995%
热容 / Hëtztkapazitéit	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatiounstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegfestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Young säi Modul	430 Gpa 4pt Bieg, 1300℃
导热系数 / ThermalKonduktivitéit	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermesch Expansioun (CTE)	4,5×10^-6K^-1