vassoio di supporto in carburo di siliciois a chiavecomponente utilizzato in diversi processi di produzione di semiconduttori.Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare il supporto in carburo di silicio conpurezza estremamente elevata,Benerivestimentouniformitàe un'eccellente durata di servizio, così comeelevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.
VETF Energy è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariComponenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali ed è in grado di fornire soluzioni materiali più professionali.per te.
Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno sviluppato una tecnologia brevettata esclusiva, in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più forte e meno soggetta al distacco.
FCaratteristiche dei nostri prodotti:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura fino a 1700 °C°C.
2. Elevata purezza euniformità termica
3. Eccellente resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sali e reagenti organici.
4. Elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
5. Maggiore durata e maggiore resistenza
| Malattia cardiovascolare SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
| 晶粒大小 / Dimensione del grano | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 Modulo di Young | 430 GPa piegatura a 4 punti, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConduttività | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Vi diamo un caloroso benvenuto a visitare il nostro stabilimento, saremo lieti di discuterne ulteriormente!
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