Bandeja de suporte de carboneto de silíciois a chaveComponente utilizado em diversos processos de fabricação de semicondutores.Utilizamos nossa tecnologia patenteada para fabricar o suporte de carbeto de silício compureza extremamente alta,bomrevestimentouniformidadee uma excelente vida útil, assim comoelevada resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
A VET Energy é oFabricante genuíno de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com revestimento CVD.pode fornecerváriosPeças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. ONossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.para você.
Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados.eDesenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva que permite uma adesão mais forte entre o revestimento e o substrato, reduzindo a propensão ao desprendimento.
FCaracterísticas dos nossos produtos:
1. Alta resistência à oxidação em temperaturas de até 1700 °C.℃.
2. Alta pureza euniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durabilidade
| DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 Valor típico |
| 晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β do FCC多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Densidade | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
| 晶粒大小 / Tamanho do Grão | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 Capacidade térmica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 Temperatura de sublimação | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistência à Flexão | 415 MPa RT 4 pontos |
| 杨氏模量 Módulo de Young | 430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C |
| 导热系数 / TermalCondutividade | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Será um prazer recebê-lo(a) em nossa fábrica. Vamos conversar mais sobre o assunto!
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