Новости

Состояние исследований интегральных схем SiC
от admin 22-08-23
В отличие от дискретных устройств S1C, которые стремятся к высоким вольтажным, мощностным, высокочастотным и высокотемпературным характеристикам, целью исследования интегральных схем SiC является в основном получение высокотемпературной цифровой схемы для схем управления интеллектуальными силовыми ИС. В качестве интегральной схемы SiC для...
Читать далее
Применение SiC-устройств в условиях высоких температур
от admin 22-08-23
В аэрокосмическом и автомобильном оборудовании электроника часто работает при высоких температурах, например, в двигателях самолетов, автомобильных двигателях, космических аппаратах, находящихся в миссиях вблизи Солнца, и высокотемпературном оборудовании в спутниках. Используйте обычные устройства Si или GaAs, поскольку они не работают при очень высоких температурах, поэтому...
Читать далее
Третье поколение полупроводниковых поверхностных приборов - SiC (карбид кремния) и их применение
от admin 22-08-23
Будучи новым типом полупроводникового материала, SiC стал важнейшим полупроводниковым материалом для производства коротковолновых оптоэлектронных приборов, высокотемпературных приборов, устройств радиационной стойкости и высокомощных электронных приборов благодаря своим превосходным физическим и химическим свойствам.
Читать далее
Использование карбида кремния
от admin 22-08-23
Карбид кремния также известен как песок для стали или огнеупорный песок. Карбид кремния изготавливается из кварцевого песка, нефтяного кокса (или угольного кокса), древесной щепы (для производства зеленого карбида кремния требуется добавление соли) и другого сырья в печи сопротивления методом высокотемпературной плавки. В настоящее время...
Читать далее
Введение в водородную энергетику и топливные элементы
от admin 22-08-23
Топливные элементы можно разделить на топливные элементы с протонообменной мембраной (PEMFC) и топливные элементы с прямым метанолом в зависимости от свойств электролита и используемого топлива (DMFC), топливные элементы на основе фосфорной кислоты (PAFC), топливные элементы на расплавленном карбонате (MCFC), топливные элементы на твердом оксиде (SOFC), щелочные топливные элементы (AFC) и т. д.
Читать далее
Области применения SiC/SiC
от admin 22-08-23
SiC/SiC обладает превосходной термостойкостью и заменит суперсплав в применении в авиадвигателях. Высокая тяговооруженность является целью современных авиадвигателей. Однако с ростом тяговооруженности температура на входе в турбину продолжает расти, и существующий суперсплав...
Читать далее
Основное преимущество волокна карбида кремния
от admin 22-08-23
Волокно карбида кремния и углеродное волокно являются керамическими волокнами с высокой прочностью и высоким модулем. По сравнению с углеродным волокном, сердечник из карбида кремния имеет следующие преимущества: 1. Высокотемпературные антиоксидантные свойства В высокотемпературном воздухе или аэробной среде карбид кремния...
Читать далее
Карбид кремниевый полупроводниковый материал
от admin 22-08-01
Полупроводниковый материал на основе карбида кремния (SiC) является наиболее зрелым среди разработанных широкозонных полупроводников. Полупроводниковые материалы SiC имеют большой потенциал применения в высокотемпературных, высокочастотных, мощных, фотоэлектронных и радиационно-стойких устройствах благодаря своей широкой зоне...
Читать далее
Материал карбид кремния и его особенности
от admin 22-08-01
Полупроводниковые приборы являются основой современного промышленного машинного оборудования и широко используются в компьютерах, бытовой электронике, сетевых коммуникациях, автомобильной электронике и других областях. Полупроводниковая промышленность в основном состоит из четырех основных компонентов: интегральных схем, операционных...
Читать далее