К материалам из графита в полупроводниковой промышленности предъявляются особенно высокие требования. Графит обладает высокой точностью размеров частиц, высокой термостойкостью, высокой прочностью, малыми потерями и другими преимуществами, например, при изготовлении пресс-форм для спеченных графитовых изделий.Поскольку графитовое оборудование, используемое в полупроводниковой промышленности (включая нагреватели и спеченные из них кристаллы), должно выдерживать многократные процессы нагрева и охлаждения, для продления срока службы графитового оборудования обычно требуется, чтобы используемые графитовые материалы обладали стабильными характеристиками и термостойкостью.
01 Графитовые принадлежности для выращивания полупроводниковых кристаллов
Все процессы выращивания полупроводниковых кристаллов протекают при высоких температурах и в агрессивной среде. Горячая зона печи для выращивания кристаллов обычно оснащается жаростойкими и коррозионностойкими компонентами из высокочистого графита, такими как нагреватель, тигель, изоляционный цилиндр, направляющий цилиндр, электрод, держатель тигля, гайка электрода и т. д.
Мы можем изготавливать все графитовые детали для оборудования по производству кристаллов, которые могут поставляться поштучно или комплектами, а также графитовые детали различных размеров по индивидуальному заказу. Размеры изделий могут быть измерены на месте, что позволяет снизить содержание золы в готовой продукции.менее 5 ppm.
02 Графитовые принадлежности для эпитаксии полупроводников
Эпитаксиальный процесс — это выращивание слоя монокристаллического материала с той же кристаллической решеткой, что и у подложки, на монокристаллической подложке. В процессе эпитаксиального выращивания пластина размещается на графитовом диске. Характеристики и качество графитового диска играют решающую роль в качестве эпитаксиального слоя пластины. В области эпитаксиального производства требуется большое количество графита сверхвысокой чистоты и графитовой основы высокой чистоты с покрытием из SIC.
Графитовая основа для эпитаксии полупроводников, производимая нашей компанией, имеет широкий спектр применения, совместима с большинством широко используемого в отрасли оборудования, отличается высокой чистотой, равномерным покрытием, превосходным сроком службы, а также высокой химической стойкостью и термической стабильностью.
03 Графитовые принадлежности для ионной имплантации
Ионная имплантация — это процесс ускорения плазменного пучка бора, фосфора и мышьяка до определенной энергии с последующим введением его в поверхностный слой материала пластины для изменения свойств этого поверхностного слоя. Компоненты устройства для ионной имплантации должны быть изготовлены из высокочистых материалов с отличной термостойкостью, теплопроводностью, низкой коррозионной стойкостью к ионному пучку и низким содержанием примесей. Высокочистый графит соответствует требованиям применения и может использоваться для изготовления пролетной трубки, различных щелей, электродов, крышек электродов, каналов, терминаторов пучка и т.д. оборудования для ионной имплантации.
Мы можем не только поставлять графитовые защитные покрытия для различных установок ионной имплантации, но и высокочистые графитовые электроды и ионные источники с высокой коррозионной стойкостью различных спецификаций. Применимые модели: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM и другое оборудование. Кроме того, мы можем предложить соответствующие изделия из керамики, вольфрама, молибдена, алюминия и деталей с покрытием.
04 Графитовые изоляционные материалы и другие
К теплоизоляционным материалам, используемым в оборудовании для производства полупроводников, относятся жесткий графитовый войлок, мягкий графитовый войлок, графитовая фольга, графитовая бумага и графитовый канат.
Все наше сырье – импортный графит, который может быть нарезан в соответствии с требованиями заказчика по размеру или продан целиком.
Углеродно-углеродная подложка используется в качестве носителя для нанесения пленочного покрытия в процессе производства монокристаллических и поликристаллических кремниевых солнечных элементов. Принцип работы следующий: кремниевый чип помещается в углеродно-углеродную подложку и направляется в печь для нанесения пленочного покрытия.
